CN101819990B 电激发光显示面板的像素结构及其制作方法 （友达光电股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101819990B

(45)授权公告日2011.11.23

(21)申请号201010167348.1

(22)申请日2010.04.23

(73)专利权人友达光电股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人蔡宗廷谢信弘

(74)专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司11127

代理人任默闻

(51)Int.CI.

GO2F1/1368(2006.01)

审查员段小晋

权利要求书3页说明书7页附图12页

(54)发明名称

电激发光显示面板的像素结构及其制作方法

(57)摘要

CN101819990B-30本发明是关于一种电激发光显示面板的像素结构及其制作方法，所述的像素结构包括一基板、一第一图案化导电层、一绝缘层、一第二图案化导电层、一主动层、一第一保护层与一电激发光元件。第一图案化导电层包括一栅极。绝缘层设置于基板及第一图案化导电层上，其中绝缘层包括至少一第一接触洞，部分暴露出栅极。第二图案化导电层设置于绝缘层上，其中第二图案化导电层

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CN101819990B权利要求书1/3页

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1.一种电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，所述的像素结构包括：

一基板；

一第一图案化导电层，设置于所述的基板上，其中所述的第一图案化导电层包括一栅极；

一绝缘层，设置于所述的基板及所述的第一图案化导电层上，其中所述的绝缘层包括至少一第一接触洞，部分暴露出所述的栅极；

一第二图案化导电层，设置于所述的绝缘层上，其中所述的第二图案化导电层包括一第一源极与一第一漏极，以及一第二漏极与所述的绝缘层的所述的第一接触洞暴露出的所述的栅极电性连接；

一主动层，设置于所述的绝缘层上并分别与所述的第一源极及所述的第一漏极部分重叠；

一第一保护层，设置于所述的第二图案化导电层与所述的主动层上，其中所述的第一保护层包括至少一第二接触洞，使所述的第一源极与所述的第一漏极的其中的一者中的部分暴露；以及

一电激发光元件，设置于所述的第一保护层上，其中所述的电激发光元件与所述的第一保护层的所述的第二接触洞暴露出的所述的第一源极与所述的第一漏极的其中的一者电性连接。

2.如权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中所述的第一源极与所述的第一漏极分别部分覆盖于主动层的一上表面。

3.如权利要求2所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，所述的像素结构另包括一蚀刻停止层，部分覆盖所述的主动层的所述的上表面，且所述的第一源极与所述的第一漏极分别部分覆盖所述的蚀刻停止层的一上表面。

4.如权利要求3所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中所述的蚀刻停止层另覆盖所述的主动层的两侧表面以及所述的绝缘层的一上表面。

5.如权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中所述的主动层分别部分覆盖所述的第一源极与所述的第一漏极的一上表面。

6.如权利要求5所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，所述的像素结构另包括一盖层，覆盖所述的主动层的一上表面。

7.如权利要求6所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中所述的盖层另包覆所述的主动层的两侧表面。

8.如权利要求6所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中所述的盖层包括一氧化硅层、一氮化硅层或一氮氧化硅层。

9.如权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中所述的主动层包括一金属氧化物。

10.如权利要求9所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中所述的金属氧化物包括铟镓锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌或上述材料的混合物。

11.如权利要求9所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中所述的金属氧化物包括一非晶金属氧化物。

12.如权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中部分所述的

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电激发光元件至少部分重叠于所述的绝缘层的所述的第一接触洞。

13.如权利要求1所述的电激发光显示面板的像素结构，其特征在于，其中部分所述的电激发光元件与所述的第一源极及所述的第一漏极至少部分