CN101814500A 台面型晶闸管浪涌抑制器芯片及其制作方法 （绍兴旭昌科技企业有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101814500A

(43)申请公布日2010.08.25

(21)申请号200910096325.3

(22)申请日2009.02.20

(71)申请人绍兴旭昌科技企业有限公司

地址312000浙江省绍兴市绍兴经济开发区

东山路龙山科技园

(72)发明人邓爱民保爱林谢晓东

(74)专利代理机构浙江杭州金通专利事务所有限公司33100

代理人徐关寿

(51)Int.CI.

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27/082(2006.01)21/8222(2006.01)21/22(2006.01)

29/747(2006.01)29/06(2006.01)

权利要求书1页说明书2页附图1页

(54)发明名称

台面型晶闸管浪涌抑制器芯片及其制作方法

(57)摘要

CN101814500A本发明公开了一种台面型晶闸管浪涌抑制器芯片及其制作方法。它包括硅基片，短基区及发射区，在硅基片的边缘设有台面，在台面上还覆盖有高温玻璃，硅基片采用研磨片。其制作方法包括a.在硅基片两面同时掺入杂质，形成短基区，b.在短基区上两面同时掺入高浓度杂质，形成第一导电类型层和发射结，c.利用光刻技术和化学腐蚀法形成发射区图形及台面并在台面四周做一层高温玻璃，d.

CN101814500A

CN101814500A权利要求书1/1页

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1.一种台面型晶闸管浪涌抑制器芯片，包括硅基片(4),短基区(1)及发射区(2),其特征在于：在硅基片(4)的边缘设有台面(3),在台面(3)上还覆盖有高温玻璃(5),硅基片(4)采用研磨片。

2.根据权利要求1所述的台面型晶闸管浪涌抑制器芯片，其特征在于：发射区(2)图形采用化学腐蚀法形成。

3.根据权利要求1所述的台面型晶闸管浪涌抑制器芯片，其特征在于：短基区(1)及发射区(2)均采用叠片式高温扩散实现，芯片表面镀镍。

4.一种制作如权利要求1或2或3所述的台面型晶闸管浪涌抑制器芯片的方法，其特征在于其制作方法包括：

a.在第一导电类型的硅基片(4)两面同时掺入第二导电型杂质，这一过程可通过叠片式高温扩散的方法实现，此过程在两面形成第二导电类型层、即主PN结，这一层也叫短基区(1),

b.再用同样方法在短基区(1)上两面同时掺入高浓度的可使第二导电类型层重新变为电阻率更低的第一导电类型层的杂质并在其上再形成第一导电类型层和发射结(2),这一电阻率更低的第一导电类型层也叫发射区，

c.利用光刻技术和化学腐蚀法将部分发射区除去以形成符合实际要求的发射区图形，然后用光刻、腐蚀方法形成台面(3)并在台面(3)四周做一层高温玻璃(5)使主结与外界隔离，

d.利用本行业通用的化学镀镍方法完成表面金属化。

CN101814500A说明书1/2页

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台面型晶闸管浪涌抑制器芯片及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种微型半导体器件及其制作方法，尤其与晶闸管浪涌抑制器芯片及其制作方法有关。

背景技术

[0002]现有的晶闸管浪涌抑制器芯片分为平面型和台面型，制造的主要步骤是：杂质掺入采用扩散或离子注入方法、PN结钝化采用由平面工艺实现的表面钝化，或由台面工艺实现的台面钝化。主要过程是：在双面抛光的具有第一导电类型的硅基片两面同时掺入第二导电类型杂质，形成第二导电类型层，即主PN结。在第二导电类型层上生长一层氧化层，用掩膜版进行光刻，有选择的去除需要形成发射结区域的氧化层，再将去除氧化层的区域掺入高浓度的可使第二导电类型层重新变为电阻率更低的第一导电类型层的杂质并在其上再形成第一导电类型层，也就是发射区。平面型管芯是利用二氧化硅或气相沉积形成的绝缘层作为钝化层，台面型管芯是在芯片四周挖槽，使主PN结暴露于槽壁，槽壁用玻璃覆盖，以此提高管芯的耐压和高温性能。平面工艺使用的硅基片为抛光片，采用扩散或离子注入技术实现杂质的掺杂，工艺技术复杂，制造成本较高。

发明内容

[0003]本发明的目的是提供一种结构合理，可靠性好，制造成本低廉的台面型晶闸管浪涌抑制器芯片及其制作方法。

[0004]为达到上述目的，本发明是通过以下