CN101833138A 一种偏振无关光栅耦合器的制作方法 （华中科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101833138A

(43)申请公布日2010.09.15

(21)申请号201010161238.4

(22)申请日2010.04.30

(71)申请人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人汪毅邵士茜

(74)专利代理机构华中科技大学专利中心

42201

代理人朱仁玲

(51)Int.CI.

GO2BGO2B

6/34(2006.01)5/18(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

一种偏振无关光栅耦合器的制作方法

(57)摘要

CN101833138A(b)(d)本发明提供了一种T型槽光栅结构的设计方法，对两种模式采取不同的耦合原理来实现输出耦合器，从而实现了采用同一结构对TE、TM模式同时高效率耦合输出。本发明实现了在1480-1580nm波长范围内TE、TM模式的耦合效率均高于50%,两种模式的耦合效率都在1550nm波长处达到了58%;而在1510-1580nm波长范围内耦合器的偏振相关损耗(PDL)小于0.05dB,在1550nm波长处仅为3.6×10?3dB,所设计的光栅耦合器实现了高耦合效率、低偏振相关损耗、宽带宽的耦合输出功能。器件结构简单、制作方便、体积小，且与标准的CMOS

CN101833138A

(b)(d)

CN101833138A权利要求书1/1页

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1.一种偏振无关光栅耦合器的制作方法，包括如下步骤：

(1)根据光栅耦合布拉格条件计算TM模式的周期TT;

(2)根据光栅谐振条件计算TE模式的周期TT;

(3)令T=TT,求得所述偏振无关光栅耦合器的上层材料厚度，将此时的TTM或TE设置为该偏振无关光栅耦合器的周期；

(4)利用上述求得的上层材料厚度和设置的周期制作竖直Slot光栅；

(5)在上述竖直slot光栅的凹槽上部刻蚀一组浅刻蚀光栅，使得上述竖直Slot光栅变为T型槽光栅，调节所述浅刻蚀光栅的刻蚀宽度与刻蚀深度，使得当其在TE模式耦合输出效率最大、TM模式耦合效率不受影响时，此时刻蚀形成的T型槽光栅即为所求的偏振无关光栅耦合器。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述的周期TT为λ/neff,其中，λ为耦合波长，neff为TM模式的有效折射率。

3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述在计算TE模式的周期TTE中，首先将光场束缚在一个布拉格光栅谐振器之中，此时，TE模式光栅耦合器的工作是遵循光栅谐振条件，从而光栅周期T在(2a±1)λ/4nefB到aλ/2neffE范围内，其中，neff为TE模式的有效折射率，λ为耦合波长，a为正整数。

4.根据权利要求1-3之一所述的制作方法，其特征在于，所述的偏振无关光栅耦合器的材料可以是任何对TE和TM模式存在有效折射率差的材料。

CN101833138A说明书1/3页

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一种偏振无关光栅耦合器的制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及光耦合领域，特别是一种集成光栅耦合器，具有偏振无关的特性。

背景技术

[0002]集成硅基光学系统，由于其小的器件尺寸，以及与传统集成电路CMOS工艺良好的兼容性，成为目前研究的一个热点。许多微纳器件已经在硅基上实现集成，如激光器、调制器、滤波器、耦合器、缓存器等等。而光栅用于实现耦合器功能，有着耦合面积小、耦合效率高等优点，从而被广泛应用在平面光学系统中。

[0003]但是光栅和其他光学微纳器件一样，由于尺寸小使得器件对于TE、TM模式的有效折射率存在较大差异，从而导致了器件偏振相关的问题。通过光诱导双折射现象可以解决器件偏振相关的问题(D.A.Peyrot,T.V.Galstian,andR.A.Lessard,“Polarizationindependentgrating