CN101976717A 包括光提取改型的发光二极管及其制作方法 （克里公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101976717A

(43)申请公布日2011.02.16

(21)申请号200911000311.3

(22)申请日2002.02.01

(30)优先权数据

60/2657072001.02.01US

60/3072352001.07.23US

(62)分案原申请数据72002.02.01

(71)申请人克里公司

地址美国北卡罗来纳州

(72)发明人D·B·小斯拉特R·C·格拉斯

C·M·斯沃波达B·凯勒

J·伊贝特森B·蒂贝奥尔特E·J·塔萨

(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司72001

代理人李娜王忠忠

(51)Int.CI.

HO1L33/20(2010.01)

权利要求书6页说明书17页附图15页

(54)发明名称

包括光提取改型的发光二极管及其制作方法

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710a720700.

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CN101976717A发光二极管包括一个有第一和第二相对面的衬底，该衬底对预定波长范围内的光辐射是透明的，并被构图以在横截面内确定从第一面向第二面伸展进入衬底的多个支座。第二面上的二极管区这样设定：当在二极管区施加电压时，发射预定波长范围内的光进入衬底。在二极管区上、与衬底相对的安装支架被配置成支持二极管区，使得当在二极管区施加电压时，从二极管区发射进入衬底的光是从第一面发出。衬底的第一面可以包括在衬底内确定多个三角形支座的多个槽。槽可以包括锥形侧壁和/或斜面的底层。衬底的第一

CN101976717A

CN101976717A权利要求书1/6页

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1.一种发光二极管，包括：

有第一和第二相对面的衬底，第一面与第二面相比有比较小的表面积；和

在第二面上的二极管区，该二极管区包括限定在第一面的较小表面积里的发射区。

2.根据权利要求1的发光二极管，其中发射区包括台面。

3.根据权利要求1的发光二极管，其中衬底的第一面包括纹理化的表面。

4.根据权利要求2的发光二极管，还包括在台面的至少一部分上的一透明电极。

5.根据权利要求1的发光二极管，其中衬底是对预定波长范围的光辐射透明的碳化硅衬底，其中二极管区被配置成发射该预定波长范围的光。

6.一种发光二极管，包括：

有第一和第二相对面的衬底，第一面与第二面相比有比较小的表面积；

在第二面上的二极管区；和

在二极管区上、与衬底相对的安装支架。

7.根据权利要求6的发光二极管，其中：

衬底对预定波长范围的光辐射是透明的，并且其中二极管区被配置成，当在二极管区上施加电压时，发射该预定波长范围的光进入对该预定波长范围的光辐射透明的衬底。

8.根据权利要求7的发光二极管，其中安装支架还被配置成支持二极管区，使得在二极管区上施加电压时，从二极管区发射进入对该预定波长范围的光辐射透明的衬底的光从第一面发射出。

9.根据权利要求8的发光二极管，还包括：

在安装支架和二极管区之间的反射器，该反射器被配置成，在二极管区上施加电压时，把从二极管区发射的光反射回去进入二极管区，通过对该预定波长范围的光辐射透明的衬底并从第一面发射出。

10.根据权利要求9的发光二极管，还包括：

在二极管区和反射器之间的透明电极。

11.根据权利要求9的发光二极管，还包括：

在反射器和安装支架之间的阻挡区；和

在阻挡区和安装支架之间的焊接区。

12.根据权利要求11的发光二极管，其中焊接区包括金、铟、焊料和/或铜焊。

13.一种发光二极管，包括：

衬底；

在衬底上的二极管区；和

在衬底和二极管区之一上的接触结构，该接触结构包括：

在衬底和二极管区之一上的一欧姆和反射器区；

在欧姆和反射器区上、与衬底和二极管区之一相对的阻挡区；

在阻挡区上、与欧姆和反射器区相对的焊接区。

14.根据权利要求13的发光二极管，还包括：

在焊接区上、与阻挡区相对的安装组件。

15.根据权利要求13的发光二极管，其中欧姆和反射器区包括：

在衬底和二极管区之一上的透明的欧姆层；和

CN101976717A权利要求