CN106660782A 集积式cmos及mems传感器制作方法与结构 （因文森斯公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106660782A

(43)申请公布日2017.05.10

(21)申请号201580047745.6

(22)申请日2015.07.06

(30)优先权数据

62/021,6262014.07.07US14/752,7182015.06.26US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2017.03.06

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/US2015/0392552015.07.06

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2016/007435EN2016.01.14

(74)专利代理机构北京戈程知识产权代理有限公司11314

代理人程伟王锦阳

(51)Int.CI.

B81B7/00(2006.01)

(71)申请人因文森斯公司

地址美国加利福尼亚州

(72)发明人P·斯迈斯

权利要求书1页说明书3页附图7页

(54)发明名称

集积式CMOS及MEMS传感器制作方法与结构

(57)摘要

CN106660782A*揭示一种提供CMOS-MEMS结构的方法。本方法包含图型化MEMS致动器衬底上的第一顶端金属及CMOS衬底上的第二顶端金属。MEMS致动器衬底与CMOS衬底各于其上包括氧化层。本方法包括蚀刻MEMS致动器衬底及底座衬底上的各氧化层，利用第一接合步骤将MEMS致动器衬底的经图型化的第一顶端金属接合至底座衬底的经图型化的第二顶端金属。最后，本方法包括将致动器层蚀刻成MEMS致动器衬底，并且利用第二接合步骤将

CN106660782A

*

CN106660782A权利要求书1/1页

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1.一种提供CMOS-MEMS结构的方法，其包含：

图型化MEMS制动器层上的第一顶端金属及CMOS衬底上的第二顶端金属；其中该MEMS制动器层及该CMOS衬底各于其上包括氧化层；

蚀刻该MEMS制动器层及该CMOS衬底上的各该氧化层；

利用第一接合步骤将该MEMS制动器衬底的该经图型化的第一顶端金属接合至该CMOS衬底的该经图型化的第二顶端金属；

蚀刻该MEMS制动器层以释离可动结构；以及

利用第二接合步骤将该MEMS制动器衬底接合至MEMS握把衬底。

2.如权利要求1所述的方法，其中，蚀刻该氧化层的步骤包括在该CMOS衬底及该MEMS衬底上提供至少一个隔绝体。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该至少一个隔绝体包括该经图型化的顶端金属。

4.如权利要求1所述的方法，其包括在该第一接合步骤之后将该MEMS致动器层研磨至所欲厚度。

5.如权利要求4所述的方法，其中，该厚度介于10微米与100微米之间。

6.如权利要求1所述的方法，其包括在该握把层中提供凹穴，并且在该第二接合步骤前先氧化该握把层。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该第一与第二接合步骤包含第一与第二低温接合。

8.如权利要求7所述的方法，其中，该第一低温接合包含压缩接合，且该第二低温接合包含熔融接合。

9.如权利要求1所述的方法，其中，该第一与第二接合步骤的温度介于摄氏150度与摄氏400度之间。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该第一与第二顶端金属包含铜(Cu)与镍(Ni)中任一者。

11.如权利要求1所述的方法，其中，该图型化步骤包含镶嵌图型化步骤。

12.如权利要求1所述的方法，其中，该经图型化的第一与第二顶端金属用于电连接该MEMS衬底与该CMOS衬底。

13.如权利要求1所述的方法，其中，该第一与第二接合步骤对该装置提供气密封。

14.如权利要求1所述的方法，其中，该隔绝体在该可动结构与该CMOS衬底之间界定间隙。

15.如权利要求1所述的方法，其中，蚀刻该氧化层的步骤形成凸块止挡部。

16.如权利要求1所述的方法，其中，该CMOS衬底的该第一顶端金属上设置有接触层。

CN106660782A说明书1/3页

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集积式CMOS及MEMS传感器制作方法与结构

[0001]相关申请案交互参照

[0002]本申请案主张2014年7月7日提出申请的发明名称为「INTEGRATEDCMOSANDMEMSSENSORFABRICATIONMETHODAND