CN107146811A 基于阻挡层调制结构的电流孔径功率晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107146811A

(43)申请公布日2017.09.08

(21)申请号201710197643.3

(22)申请日2017.03.29

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维石朋毫王海永郝跃艾治州马晓华张弘

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

29/06(2006.01)

29/20(2006.01)29/778(2006.01) 21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图3页

(54)发明名称

基于阻挡层调制结构的电流孔径功率晶体管及其制作方法

(57)摘要

点

CN107146811A电盗8层本发明公开了一种基于阻挡层调制结构的电流孔径功率晶体管，主要解决现有同类器击穿电压低与导通电阻大的问题，其包括：衬底(1)、漂移层(2)、电流孔径层(3)、左右两个对称的多级阶梯结构的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12),势垒层(7)上的两侧淀积有两个