CN107170798A 基于栅场板和漏场板的垂直型功率器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107170798A

(43)申请公布日2017.09.15

(21)申请号201710198830.3

(22)申请日2017.03.29

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维杨翠艾治州郝跃郑雪峰

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/40(2006.01)

HO1L29/778(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

权利要求书3页说明书15页附图6页

(54)发明名称

基于栅场板和漏场板的垂直型功率器件及其制作方法

(57)摘要

CN107170798A本发明公开了一种基于栅场板和漏场板的垂直型功率器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10),沟道层和势垒层的两侧刻有源槽(8),源槽中淀积有源极(9),除肖特基漏极底部以外的所有区域覆盖有钝化层(12),电流阻挡层之间有孔径(5);两个电流阻挡层采用二级台阶结构，钝化层两边的上部和背面分别刻有栅阶梯和漏阶梯，阶梯上淀积有金属，形成阶梯栅场板(13)和阶梯漏场板(14),阶梯栅场板和阶梯漏场板分别与栅极和肖特基漏极电气连接。本发明双向击穿电压高、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系

CN107170798A

CN107170798A权利要求书1/3页

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1.一种基于栅场板和漏场板的垂直型功率器件，包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12),沟道层(6)和势垒层(7)的两侧刻蚀有源槽(8),两侧源槽(8)中淀积有两个源极(9),源极(9)之间的势垒层(7)上面淀积有栅极(10),衬底(1)下面淀积有肖特基漏极(11),钝化层(12)完全包裹在除肖特基漏极(11)底部以外的所有区域，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5),其特征在于：

所述两个电流阻挡层(4),采用由第一阻挡层(41)和第二阻挡层(42)构成的二级台阶结构，且第二阻挡层(42)位于第一阻挡层(41)的内侧；

所述钝化层(12),其两侧均采用双阶梯结构，即在钝化层的两侧的上部区域刻有整数个栅阶梯，下部区域刻有整数个漏阶梯；

每个栅阶梯处淀积有金属，形成对称的两个整体阶梯栅场板(13),该阶梯栅场板(13)与栅极(10)电气连接，形成阶梯形栅场板；

每个漏阶梯处淀积有金属，形成对称的两个整体阶梯漏场板(14),该阶梯漏场板(14)与肖特基漏极(11)电气连接，形成阶梯形漏场板。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于阶梯栅场板(13)的阶梯级数，是根据钝化层栅阶梯数m确定，m根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于1的整数。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于阶梯漏场板(14)的阶梯级数，是根据钝化层漏阶梯数Q确定，Q根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于1的整数。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于第一阻挡层(41)的厚度a为0.5～3μm,宽度c为0.2～1μm,第二阻挡层(42)的厚度b为0.3～1μm,宽度d为1.4～3.4μm,且满足ab。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于钝化层两边的各级栅阶梯高度相等，均为L,且第1栅阶梯上表面距离第一阻挡层下边界的垂直距离也为L,每个栅阶梯的宽度Si不同，且自上而下依次增大，i为整数且m≥i≥1;钝化层两边的各级漏阶梯高度相同，均为W,且第1漏阶梯下表面距离衬底(1)下边界的垂直距离也为W,各级漏阶梯宽度R?不同，且自下而上依次增大，z为整数且Q≥z≥1。

6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于阶梯栅场板(13)距离漂移层(2)最近处的水平间距u近似满足关系且d3.5a;阶梯漏场板(14)距离漂移层(2)最近处的水平间距k满足关系：Rzk,其中：

a为第一阻挡层(41)的厚度，d为第二阻挡层(42)的宽度，Rz为钝化层中各级漏阶梯宽