CN107170821B 浮空型漏场板电流孔径器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN107170821B公告日2020.04.14

(21)申请号201710198226.0

(22)申请日2017.03.29

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107170821A

(43)申请公布日2017.09.15

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维边照科王海永郝跃马晓华杨眉吕玲祝杰杰

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

HO1L21/335(2006.01)

(56)对比文件

CN103715257A,2014.04.09,

CN101276837A,2008.10.01,

CN101414623A,2009.04.22,

EP2479790A3,2012.10.10,

US2016149007A1,2016.05.26,CN104505401A,2015.04.08,

审查员肖玲

(51)Int.CI.

H01L29/778(2006.01)

H01L29/40(2006.01)权利要求书2页说明书12页附图3页

(54)发明名称

浮空型漏场板电流孔径器件及其制作方法

(57)摘要

CN107170821B本发明公开了一种浮空型漏场板电流孔径器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、GaN衬底(1)、GaN漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10),势垒层(7)上的两侧刻有两个源槽(8),两个源槽处淀积有两个源极(9),除肖特基漏极底部以外的所有区域完全覆盖有钝化层(13),两侧的钝化层内制作有浮空型漏场板(12),该浮空型漏场板是由多个相互独立的浮空场板和一个与肖特基漏极电气连接的第一场板构成，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)。本发明击穿电压

CN107170821B

势垒层7

湖曲

湖曲

钝化层13

孔径5

GaN漂移层2

GaN村底1肖特基漏极11

CN107170821B权利要求书1/2页

2

1.一种浮空型漏场板电流孔径器件，包括：GaN衬底(1)、GaN漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(13),沟道层(6)和势垒层(7)的两侧刻蚀有源槽(8),两侧源槽(8)中淀积有两个源极(9),源极(9)之间的势垒层上面淀积有栅极(10),GaN衬底(1)下面淀积有肖特基漏极(11),钝化层(13)完全包裹在除肖特基漏极(11)底部以外的所有区域，两侧的钝化层内制作有浮空型漏场板(12),两个对称的电流阻挡层(4)之间形成孔径(5),其特征在于：

所述浮空型漏场板(12),是由自下而上的第一场板、第二场板、第三场板至第m场板构成，第一场板为漏场板，并与肖特基漏极电气连接，第二场板、第三场板至第m场板为浮空场板，且各浮空场板相互独立，m根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于2的整数；

所述钝化层(13),是由若干层绝缘介质材料自下而上堆叠而成。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于浮空型漏场板(12)中，各场板的厚度L均相同，宽度D均相同。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于浮空型漏场板(12)中，相邻场板之间绝缘介质材料的厚度，即相邻场板之间的垂直间距Si不同，且自下而上依次增大，i为整数且m-1≥i≥1。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于浮空型漏场板(12)中，同一侧的第一场板至第m场板均相互平行，且距离GaN漂移层(2)的水平距离T均相等，T为0.2～0.6μm,第一场板下边缘与GaN衬底(1)下边缘水平对齐。

5.一种制作浮空型漏场板电流孔径器件的方法，包括：

A.在n型GaN衬底(1)上外延n型GaN半导体材料，形成GaN漂移层(2);

B.在GaN漂移层(2)上外延n型GaN半导体材料，形成厚度h为0.4～2μm、掺杂浓度为1×101?~1×101?cm?3的孔径层(3);

C.在孔径层(3)上制作掩模，利用该掩模在孔径层内的两侧位置注入剂量为1×10