CN107170797A 基于漏场板的电流孔径异质结晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107170797A

(43)申请公布日2017.09.15

(21)申请号201710198826.7

(22)申请日2017.03.29

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维边照科丛冠宇郝跃王冲张进成曹艳荣

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

权利要求书2页说明书13页附图4页

(51)Int.CI.

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29/06(2006.01)

29/40(2006.01)21/335(2006.01)29/778(2006.01)

(54)发明名称

基于漏场板的电流孔径异质结晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN107170797A本发明公开了一种基于漏场板的电流孔径异质结晶体管及其制作方法，其包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、电流阻挡层(4)、沟道层(6)和势垒层(7),势垒层上两侧淀积有源极(11),源极之间势垒层上外延有帽层(8),帽层两侧刻有台阶(9),帽层上淀积有栅极(12),两个电流阻挡层之间形成孔径(5),衬底下淀积有肖特基漏极(13),肖特基漏极底部以外的所有区域包裹有钝化层(14),钝化层背面的两侧刻有阶梯，阶梯处淀积有金属，形成阶梯场板(15),该阶梯场板与肖特基漏极电气连接，阶梯场板的下方完全填充保护层(16)。本发明反向击穿电压高、工

CN107170797A

CN107170797A权利要求书1/2页

2

1.一种基于漏场板的电流孔径异质结晶体管，包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、左右两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(14),势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(11),两个源极下方通过离子注入形成两个注入区(10),源极之间的势垒层上外延有帽层(8),帽层(8)两侧刻有两个台阶(9),帽层上面淀积有栅极(12),衬底(1)下面淀积有肖特基漏极(13),钝化层(14)完全包裹在除肖特基漏极(13)底部以外的所有区域，两个对称的电流阻挡层(4)之间形成孔径(5),其特征在于：

所述钝化层(14),采用阶梯结构，即在钝化层(14)背面的两边刻有整数个阶梯，所有阶梯上淀积有金属，形成对称的两个整体阶梯场板(15),该阶梯场板与肖特基漏极(13)电气连接，形成阶梯漏场板，阶梯场板的下边界所在高度低于或等于衬底(1)的下边界所在高度；

所述阶梯场板(15)的下方和钝化层(14)的下方填充有绝缘介质材料，以形成保护阶梯场板(15)的保护层(16)。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于阶梯场板(15)的阶梯数，是根据钝化层阶梯数m确定，m根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于1的整数。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于钝化层两边的各级阶梯高度Li相同，且第1阶梯下表面距离衬底(1)下边界的垂直距离W等于Li,各级阶梯的宽度Si不同，且自下而上依次增大，i为整数且m≥i≥1。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于漂移层(2)的左、右两侧距离同侧阶梯场板

(15)最近处的水平间距t满足关系：Sit,其中，Si为钝化层中各级阶梯宽度。

5.一种制作基于漏场板的电流孔径异质结晶体管的方法，包括如下过程：

A.在采用n型GaN材料的衬底(1)上外延n型GaN半导体材料，形成漂移层(2);

B.在漂移层(2)上外延n型GaN半导体材料，形成厚度c为0.5～2μm、掺杂浓度为1×1015~1×101?cm?3的孔径层(3);

C.在孔径层(3)上制作掩模，利用该掩模在孔径层内的两侧位置注入剂量为1×101?~1×101?cm?2的p型杂质，制作厚度b与孔径层厚度相同，宽度a为0.5～4μm的电流阻挡层(4),两个对称的电流阻挡层(4)之间形成孔径(5);

D.在两个电流阻挡层(4)和孔径(5)上部外延GaN半导体材料，形成厚度为0.04～0.2μm的沟道层(6);

E.在沟道层(6)上部外延GaN基宽禁带半导体材料，形成厚度为5～50nm的势垒层(7);

F.在势垒层(7)的上部外延p型GaN半导体材料，形成厚度为0.02～0.25μm的帽层(8);