CN107170796A 分段栅场板垂直型电流孔径功率器件及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107170796A

(43)申请公布日2017.09.15

(21)申请号201710198228.X

(22)申请日2017.03.29

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人毛维丛冠宇杜鸣郝跃张金风林志宇

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华

(51)Int.CI.

HO1L

HO1L

HO1L

HO1L

HO1L

29/06(2006.01)

29/20(2006.01)

29/40(2006.01)

29/778(2006.01)

21/335(2006.01)

权利要求书2页说明书14页附图3页

(54)发明名称

分段栅场板垂直型电流孔径功率器件及其制作方法

(57)摘要

CN107170796A本发明公开了一种分段栅场板垂直型电流孔径功率器件，其自下而上包括：漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的二级阶梯形的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10),势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9),两个源极(9)下方通过离子注入形成两个注入区(8),除漏极底部以外的所有区域覆盖有钝化层(13),两侧的钝化层内分别制作有分段栅场板(12),该分段栅场板是由多个相互独立的浮空场板和一个栅场板构成，栅场板与栅极电气连接，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)。本发

CN107170796A

CN107170796A权利要求书1/2页

2

1.一种分段栅场板垂直型电流孔径功率器件，包括：衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)和势垒层(7),势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9),两个源极(9)下方通过离子注入形成两个注入区(8),源极(9)之间的势垒层上面淀积有栅极(10),衬底(1)下面淀积有漏极(11),在除漏极(11)底部以外的所有区域完全包裹有钝化层(13),两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5),其特征在于：

所述两个电流阻挡层(4),采用由第一阻挡层(41)和第二阻挡层(42)构成的二级阶梯结构，且第一阻挡层(41)位于第二阻挡层(42)的外侧；

所述钝化层(13),是由若干层绝缘介质材料自下而上堆叠而成，两侧的钝化层内制作有分段栅场板(12);

所述分段栅场板(12),是由m个浮空场板和一个栅场板构成，所有浮空场板相互独立，栅场板与栅极(10)电气连接，m根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于1的整数。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于第一阻挡层(41)的厚度a为0.5～3μm,宽度c为0.2～1μm,第二阻挡层(42)的厚度b为0.3～1μm,宽度d为1.4～3.4μm,且ab。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于分段栅场板(12)中，每个浮空场板的厚度L均为0.5～3μm,宽度R均为0.5～5μm。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于同一侧的栅场板及各浮空场板，均相互平行，相邻两个场板之间的间距Si不同，且自下而上依次减小，第m浮空场板与栅场板的垂直间距Sm的范围为0.1～1μm,i为整数且m≥i≥1。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于分段栅场板(12)中，同一侧的栅场板及各浮

空场板均相互平行，且距离漂移层(2)的水平距离T均相等，T近似满足

≤3.5a,其中，a为第一阻挡层(41)的厚度，d为第二阻挡层(42)的宽度。

6.一种制作分段栅场板垂直型电流孔径功率器件的方法，包括：

A.在衬底(1)上外延n型GaN半导体材料，形成漂移层(2);

B.在漂移层(2)上外延n型GaN半导体材料，形成厚度h为0.5～3μm、掺杂浓度为1×1015~1×101?cm?3的孔径层(3);

C.在孔径层(3)上第一次制作掩膜，利用该掩膜在孔径层内的两侧位置注入剂量为1×101?~1×101?cm?2的p型杂质，制作厚度a与孔径层厚度h相同，宽度c为0.2～1μm的两个第一阻挡层(41);

D.在孔径层(3)和左右第一阻挡层(41)上第二次制作掩膜，利用该掩膜在左右第一阻挡层(41)之间的孔径层内的两侧注入剂量为1×101?~1×101?cm?2的p型杂质，制作厚度b