CN107731910A V2O5-Al2O3双层栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107731910A

(43)申请公布日2018.02.23

(21)申请号201710923086.9

(22)申请日2017.09.30

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市雁塔区太白南

路2号

(72)发明人张金风陈万娇任泽阳张进成郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1L

29/51(2006.01)

29/78(2006.01)

21/04(2006.01)

权利要求书2页说明书5页

附图2页

(54)发明名称

V?Os/Al?O?双层栅介质的金刚石场效应晶体管及制作方法

(57)摘要

CN107731910A本发明公开了一种基于V?O?/Al?O?双层栅介质的金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管，主要解决现有技术器件导通电阻大，输出电流和跨导小以及击穿电压低的问题。其自下而上包括金刚石衬底(1)、吸附层(2)和栅介质层(3),该栅介质层(3)采用V?Os/Al?O?双层结构；栅介质层(3)的上面是栅电极(4),栅介质层(3)的两侧设有源漏电极(5),栅电极(4)和源漏电极(5)的表面覆盖有钝化层(6);该钝化层(6)采用V?05材料，其与栅电极(4)和源漏电极(5)的键合处分别设有通孔(7)。本发明具有导通电阻和串联电阻小，输

CN107731910A

CN107731910A权利要求书1/2页

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1.一种基于V?Os/Al?O3双层栅介质的金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管，自下而上包括金刚石衬底(1)、吸附层(2)和栅介质层(3),栅介质层(3)的上面是栅电极(4),栅介质层(3)的两侧设有源漏电极(5),栅电极(4)和源漏电极(5)的表面覆盖有钝化层(6),钝化层(6)与栅电极(4)和源漏电极(5)的键合处分别设有通孔(7),其特征在于：

栅介质层(3)采用V?0?/Al?O?双层栅介质，

钝化层(6)采用V?0?材料。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，衬底(1)采用单晶或者多晶金刚石。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，双层栅介质层(3)中的V?05层厚度为3～50nm,Al?O?层厚度为5～50nm。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，栅电极(4)采用厚度为80～160nm金属A1。

5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，源漏电极(5)采用厚度为80~160nm的金属Pd。

6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，钝化层(6)采用厚度为30～90nm的过渡金属氧化物V?O5。

7.一种基于V?O?/Al?O?双层栅介质的金刚石场效应晶体管的制造方法，包括如下步骤：

1)采用微波等离子体化学气相沉积MPCVD方法生长出的单晶或多晶金刚石作为器件的衬底；

2)在800～950℃温度下，将金刚石衬底置于氢等离子中5～30min,使金刚石表面形成氢终端，氢终端表面吸附空气中的活性物质或原子基团形成吸附层；

3)在氢终端表面旋涂光刻胶，利用光刻机进行曝光，做出源极和漏极图案；

4)在已完成的结构表面上热蒸发淀积一层80～160nm厚的钯膜，以与氢终端表面形成欧姆接触，再剥离得到器件的源极和漏极；

5)在栅窗口处依次淀积一层3～50nm厚的V?05介质和一层5～50nm厚的Al?O?作为器件的栅介质层；

6)利用金属蒸发在栅介质层上沉积一层80～160nm厚的铝膜，然后经过剥离工艺，得到双层栅介质和A1形成的复合栅电极结构；

7)在步骤6)完成后的结构表面利用热蒸发淀积一层30～90nm厚的V?O?,将源、漏和栅极完全覆盖，作为钝化层；

8)在步骤7)完成后的结构表面涂胶光刻，在源、栅、漏电极上方形成通孔图形，再刻蚀掉通孔图形下方的V?0?钝化层，获得暴露出源、漏、栅电极金属的电极通孔；

9)在步骤8)完成后的结构表面淀积金属Au,然后剥离得到加厚电极，完成器件的制备。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤2)中制备氢终端表面的工艺为：反应室温度为750-950℃,压强为80-150mbar,微波功率为1.5-2.5kw,反应时间为5-30min。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤3)和步骤7)