CN107819054A 一种直接x射线探测结构、探测器及探测结构制作方法 （国家纳米科学中心）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107819054A

(43)申请公布日2018.03.20

(21)申请号201710972261.3

(22)申请日2017.10.18

(71)申请人国家纳米科学中心

地址100190北京市海淀区中关村北一条

11号

(72)发明人戴庆李振军白冰李驰陈科周圣涵

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332

代理人孟金喆

(51)Int.CI.

HO1L31/119(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

G01T1/28(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图4页

(54)发明名称

一种直接X射线探测结构、探测器及探测结构制作方法

(57)摘要

CN107819054A本发明公开了一种直接X射线探测结构、探测器及探测结构制作方法。所述直接X射线探测结构包括：电子发射电极，包括用于吸收X射线的射线吸收面，以及电子出射面，所述电子发射电极中吸收所述X射线的能量的电子从所述电子出射面出射；隧穿层，位于所述电子出射面一侧，从所述电子出射面出射的电子穿过所述隧穿层，成为隧穿电子；电子接收电极，位于所述隧穿层远离所述电子发射电极的一侧，用于接收所述隧穿电子。其中，所述电子发射电极上连接的第一引线和所述电子接收电极上连接的第二引线与外部电路连接，以便检测电路中形成的隧穿电流。本发明实施例提供的技术方案具有结构简单，体积小、成本低、探测方便，响应时间快等一系列特

CN107819054A

CN107819054A权利要求书1/2页

2

1.一种直接X射线探测结构，其特征在于，包括：

电子发射电极，包括用于吸收X射线的射线吸收面，以及电子出射面，所述电子发射电极中吸收所述X射线的能量的电子从所述电子出射面出射；

隧穿层，位于所述电子出射面一侧，从所述电子出射面出射的电子穿过所述隧穿层，成为隧穿电子；

电子接收电极，位于所述隧穿层远离所述电子发射电极的一侧，用于接收所述隧穿电子；

其中，所述电子发射电极上连有第一引线，所述电子接收电极上连有第二引线，所述第一引线与所述第二引线用于与外部电路连接，以便检测电路中形成的所述电子发射电极与所述电子接收电极之间的隧穿电流。

2.根据权利要求1所述的直接X射线探测结构，其特征在于，还包括：

衬底，所述电子发射电极、所述隧穿层和所述电子接收电极均形成在所述衬底上；

密封层，用于密封形成在所述衬底上的所述电子发射电极、所述隧穿层和所述电子接收电极。

3.根据权利要求2所述的直接X射线探测结构，其特征在于，所述电子发射电极的射线吸收面与所述电子出射面平行，且均与所述衬底平行设置，所述衬底设置在所述电子接收电极远离所述隧穿层的一侧。

4.根据权利要求3所述的直接X射线探测结构，其特征在于，还包括：

隧穿隔离层，设置在所述电子发射电极与所述隧穿层之间，以使所述电子发射电极的电子出射面远离所述电子接收电极的边缘。

5.根据权利要求2所述的直接X射线探测结构，其特征在于，所述电子发射电极的射线吸收面与所述电子出射面垂直，且所述电子发射电极的射线吸收面与所述衬底平行设置。

6.根据权利要求5所述的直接X射线探测结构，其特征在于，所述电子发射电极的尺寸沿远离所述隧穿层到接近所述隧穿层的方向逐渐减小，以使所述电子出射面的面积小于远离所述隧穿层的电子发射电极的端面的面积。

7.根据权利要求1所述的直接X射线探测结构，其特征在于，还包括：

外部电源，用于向所述电子发射电极和所述电子接收电极施加预设电压。

8.根据权利要求1-7任一所述的X射线探测结构，其特征在于，所述电子发射电极的材质包括铅、钨、钼、金、银、铂和钯中的至少一种；

所述隧穿层的材质为绝缘材料或半导体材料；

所述电子接收电极的材质为金属材料或有机导体材料。

9.一种直接X射线探测器，其特征在于，包括至少一个权利要求1-8任一项所述的直接X射线探测结构。

10.根据权利要求9所述的直接X射线探测器，其特征在于，当包括多个直接X射线探测结构，所述多个直接X射线探测结构呈直线形排列，或者矩阵排序。

11.一种直接X射线探测结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成电子接收电极、隧穿层