CN107359118A 一种超结功率器件耐压层的制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107359118A

(43)申请公布日2017.11.17

(21)申请号201710636263.5

(22)申请日2017.07.31

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人张金平顾亦舒殷鹏飞刘竞秀李泽宏任敏张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

代理人葛启函

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1L

21/329(2006.01)

21/336(2006.01)

21/331(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图4页

(54)发明名称

一种超结功率器件耐压层的制作方法

(57)摘要

CN107359118A本发明公开了一种超结功率器件耐压层的制作方法，属于功率半导体技术领域。本发明通过多次光刻、刻蚀沟槽和外延填充分批次制作半导体柱以及通过多次半导体材料外延并在每一外延层进行上述分批次制作半导体柱，保证了在每一次光刻、沟槽刻蚀、外延填充时都能够保证刻蚀或者填充的沟槽之间具有大的间隔，进而避免了沟槽密度较大时由于存在刻蚀负载效应以及刻蚀气体的消耗而造成沟槽