CN107706740A 一种采用电化学腐蚀技术来制作InP基SLD 电流非注入吸收区的方法 （长春理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN107706740A

(43)申请公布日2018.02.16

(21)申请号201710902588.3

(22)申请日2017.09.29

(71)申请人长春理工大学

地址130022吉林省长春市卫星路7186号

(72)发明人张晶祝子翔乔忠良高欣

薄报学李辉王宪涛魏志鹏马晓辉孙春明陈锋

(51)Int.CI.

HO1S5/323(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

一种采用电化学腐蚀技术来制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法

(57)摘要

CN107706740A一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法。已知采用传统质子轰击办法来制作SLD电流非注入吸收区不足之处是过小计量的轰击效果不明显、不稳定或者过强轰击容易造成器件损坏。传统质子轰击办法来制作SLD电流非注入区对质子轰击工艺要求过高，器件的成品率过低。本发明是一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法，器件整体结构由脊型台面和深纳米洞吸收区组成，在非出射端面处制作深纳米洞吸收区以达到抑制F-P振荡的目的，吸收区经过电化学腐蚀等工艺制作而成，该吸收区的制作对腐蚀深度和腐蚀

CN107706740A

CN107706740A权利要求书1/1页

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1.一种采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法，其特征在于，其包括有如下步骤：

1)针对图1中所示，采用电化学腐蚀技术制作1所示InP基SLD电流非注入吸收区；

2)在InP基传统SLD外延片基础上，整个实验在一个装有电解液的电解池中进行。

2.如权利要求1所述的采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区结构及制作方法，其特征在于，在所述步骤1),在制备1所示的吸收区域，装置是一个三电极系统，样品为工作电极，铂片作为对电极；在电压条件下，电场将限制空穴沿着特定方向移动且仅能达到底部。

3.如权利要求1所述的采用电化学腐蚀技术制作InP基SLD电流非注入吸收区结构及制作方法，其中，InP与HC1:C2H?O?:H?O=1.0:0.5:10在30-48℃,例如为30℃、33℃、47℃、42℃、45℃、48℃加热反应，并控制InP不完全反应；

InP与NaCl:C?H?O?:H?O=1.0:1.0:10在50-69℃,例如为50℃、53℃、56℃、59℃、63℃、69℃加热反应，并控制InP不完全反应；

InP与NaBr:C?H?O?:H?O=2.0:1.0:10在40-65℃,例如为40℃、45℃、50℃、55℃、60℃、65℃加热反应，并控制InP不完全反应。

其中200mlHC1:C?H?O?:H?O=1.0:0.5:10,电解池电压为7-11V;

其中200mlNaCl:C?H?O?:H?O=1.0:1.0:10,电解池电压为6-10V;

其中200mlNaBr:C?H?O?:H?O=2.0:1.0:10,电解池电压为5-9V;

去除杂质并分离未反应的InP后，得到InP基SLD多孔吸收区。

CN107706740A说明书1/3页

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一种采用电化学腐蚀技术来制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法

技术领域

[0001]本发明属于SLD(SuperLuminescentDiode,超辐射发光二极管)领域，具体涉及到一种采用电化学腐蚀技术来制作InP基SLD电流非注入吸收区的方法。

背景技术

[0002]SLD是一种发光特性介于激光器(LD)和发光二极管(LED)之间的半导体光源，它的出现和发展完全受到光纤陀螺(IFOG)的驱动，并成为一种重要的光源。我们把放大的自发发射称为超辐射，是增益介质在强激发状态下的一种定向辐射现象。当增益介质中的激发密度足够高时，增益介质中的载流子受到自发发射光子的激发，使受激发射