CN107851605B 半导体器件及其制作方法 （香港科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN107851605B公告日2021.11.26

(21)申请号201680040005.4

(22)申请日2016.07.06

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN107851605A

(43)申请公布日2018.03.27

(30)优先权数据

62/231,4492015.07.06US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2018.01.05

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/CN2016/0887562016.07.06

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2017/005188EN2017.01.12

(73)专利权人香港科技大学地址中国香港九龙清水湾

(72)发明人何庆林赖英凯刘艺苏荫强

(74)专利代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201

代理人宋融冰

(51)Int.CI.

H01L21/70(2006.01)

H01L33/00(2006.01)

(56)对比文件

JPA,1997.12.16

US2007200112A1,2007.08.30US2012306042A1,2012.12.06

审查员金政

权利要求书2页说明书7页附图7页

(54)发明名称

半导体器件及其制作方法

100106

100

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CN107851605B一种二极管、紫外辐射探测器和半导体器件制造方法，包含具有第一面和第二面的基底的二极管。二极管包含活性层，基底第一面上有CaS的岩盐相晶体结构，另一面设有电触点。二极管在活性层上还设有半透明导电层。紫外辐射探测器包含二极管以及连接半透明导电层和电触点的电路。紫外辐射探测器能够探测到波长在220到280nm

CN107851605B

CN107851605B权利要求书1/2页

2

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在基底上生长二元分子前驱层，使用分子束外延在所述基底的一面上将所述基底加热至第一温度，

在分子束外延的通量下，以第一速率将所述基底的温度升高至第二温度；

在分子束外延的通量下，在第一时间段，将所述基底的温度保持在所述第二温度；

在分子束外延的通量下，以第二速率将所述基底的温度降低至第三温度；以及

在第二时间段，在所述二元分子前驱层上生长第二层，所述第二层由与所述二元分子前驱层相同的二元分子材料形成，以形成包括所述第一层和第二层的活性层，

其中所述基底相对于所述活性层具有在0.47%和12.6%之间的晶格失配。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述二元分子前驱层是CaS层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述分子束外延中的Ca和ZnS源分别保持在430℃和910℃。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述二元分子前驱层生长至5nm的厚度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述活性层生长至20nm的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述活性层上设置半透明导电层；

在与所述活性层相对的所述基底的面上设置电触点；并且

将电路电连接到所述电触点，并将所述半透明导电层电连接到电路。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一温度为180℃,所述第一速率为50℃/分钟，所述第二温度为550℃,所述第一时间段为30分钟，所述第三温度为350℃,所述第二时间段是30分钟，所述第二速率是-30℃/分钟。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述二元分子前驱层是CaTe层。

9.根据权利要求8所述的方法，

其中所述第一温度是200℃,所述第一速率是+50℃/分钟，所述第二温度是300℃,所述第一时间段是30分钟，所述第三温度是230℃,所述第二时间段是30分钟，所述第二速率是-30℃/分钟，且

其中所述分子束外延中元素Ca源的源温度和元素Te源的源温度分别为485℃和290℃。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二时间段通过使用反射高能衍射(RHEED)监测所述二元分子前驱层和活性层的晶体质量来确定。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述活性层生长至大于20nm的厚度。

12.一种利用如权利要求1-11中任一项所述的制造半导体器件的方法制造的二极管，所述二极管包括：

具有第一面