CN105023926A 一种存储器元件及其制作方法 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN105023926A布日2015.11.04

(21)申请号201410275889.4

(22)申请日2014.06.19

(30)优先权数据

14/267,4932014.05.01US

(71)申请人旺宏电子股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16

号

(72)发明人赖二琨

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021

代理人任岩

(51)Int.CI.

HO1L27/115(2006.01)

HO1L21/8247(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图29页

(54)发明名称

一种存储器元件及其制作方法

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CN105023926A本发明公开了一种存储器元件及其制作方法，该存储器元件包括一串接存储单元阵列，包括：由绝缘材质所分离的多个导电条纹的多个叠层，包括至少由多个导电条纹所构成的一底部阶层、由多个导电条纹所构成的多个中间阶层、以及由多个导电条纹所构成的一顶部阶层；多个垂直有源条纹，位于这些叠层之间；多个电荷储存结构，位于这些叠层中的这些中间阶层的这些导电条纹的多个侧壁表面，与这些垂直有源条纹之间的多个交错处的接口区中；以及一栅介电层，具有与这些电荷储存结构相异的材质，且位于该顶部阶层的这些导电条纹和该底部阶层的这些导电

CN105023926A

CN105023926A权利要求书1/2页

2

1.一种存储器元件，包括一串接存储单元阵列，包括：

由绝缘材质所分离的多个导电条纹的多个叠层，包括至少由多个导电条纹所构成的一底部阶层、由多个导电条纹所构成的多个中间阶层、以及由多个导电条纹所构成的一顶部阶层；

多个垂直有源条纹，位于这些叠层之间；

多个电荷储存结构，位于这些叠层中的这些中间阶层的这些导电条纹的多个侧壁表面，与这些垂直有源条纹之间的多个交错处的接口区中；以及

一栅介电层，具有与这些电荷储存结构相异的材质，且位于该顶部阶层的这些导电条纹和该底部阶层的这些导电条纹二者至少一者的多个侧壁表面，与这些垂直有源条纹之间的多个交错处的接口区中。

2.根据权利要求1所述的存储器元件，包括多个金属硅化物层，位于该顶部阶层的导电条纹上。

3.根据权利要求1所述的存储器元件，包括：

多个间隙壁，用来隔离该顶部阶层的导电条纹和这些垂直有源条纹；以及

多个金属硅化物层，形成在这些垂直有源条纹的顶部上。

4.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该栅介电层包括一氧化硅材质层，具有小于这些电荷储存结构的一厚度。

5.根据权利要求1所述的存储器元件，更包括一参考导体层，位于该底部阶层的导电条纹和一集成电路基材之间的一层次中，并且连接至这些垂直有源条纹。

6.根据权利要求5所述的存储器元件，其中该参考导体层包含N+掺杂的半导体材质。

7.一种存储器元件的制作方法，包括：

在一集成电路基材上形成被多个绝缘层所分开的多个牺牲层、以及一顶部导电层和一底部导电层其中至少一个；

刻蚀这些牺牲与导电层以形成多个第一开口；

在这些第一开口中的该顶部导电层和该底部导电层其中该至少一个的多个侧壁表面上形成一栅介电层；

于这些第一开口之中，形成多个垂直有源条纹，并使这些垂直有源条纹与该栅介电层接触；

刻蚀这些牺牲与导电层和该底部导电层，以在相邻的这些垂直有源条纹之间形成多个第二开口，藉此将这些牺牲层暴露于外，且藉此在该顶部导电层和该底部导电层其中该至少一个中，形成由多个导电条纹所构成的一顶部阶层和由多个导电条纹所构成的一底部阶层中至少一个；

移除由这些第二开口暴露于外的这些牺牲层，藉以在这些绝缘层之间形成多个水平开口；

于这些水平开口中的这些垂直有源条纹的多个侧壁表面上形成一存储层；

于这些水平开口中形成由多个导电条纹所构成的多个阶层，使构成这些阶层的这些导电条纹的多个侧壁表面与该存储层接触；其中该栅介电层具有与该存储层相异的材质。

8.根据权利要求7所述的存储器元件的制作方法，更包括于这