CN104851947A 一种带有表面糙化透光结构的led芯片及其制作方法 （北京邮电大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104851947A

(43)申请公布日2015.08.19

(21)申请号201510189107.X

(22)申请日2015.04.21

(71)申请人北京邮电大学

地址100876北京市海淀区西土城路10号

(72)发明人刘凯任晓敏黄永清王琦段晓峰

(74)专利代理机构北京永创新实专利事务所

11121

代理人姜荣丽

(51)Int.CI.

HO1L33/22(2010.01)

权利要求书3页说明书10页附图3页

(54)发明名称

一种带有表面糙化透光结构的LED芯片及其制作方法

(57)摘要

CN104851947A本发明公开了一种带有表面糙化透光结构的LED芯片及其制作方法，属于LED芯片制造及LED照明领域。所述的带有表面糙化透光结构的LED芯片，包括芯片的衬底、n型半导体结构、i型有源区和p型半导体结构，以及形成在芯片表面的糙化透光结构；所述糙化透光结构是切面角度连续变化的糙化层。所述糙化透光结构在p型半导体结构上，或者在p型半导体结构的钝化层上，或者在p型半导体结构的透明电极上，或者在p型半导体结构的透明有机层上或