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第三章

核磁共振波谱分析法

一、核磁共振与化学位移

nuclearmagneticresonanceandchemicalshift

二、影响化学位移原因

factorsinfluencedchemicalshift

第二节

核磁共振与化学位移

nuclearmagneticresonancespectroscopy

nuclearmagneticresonanceandchemicalshift

2026-3-11

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一、核磁共振与化学位移

nuclearmagneticresonanceandchemicalshift

1.屏蔽作用与化学位移

理想化、裸露氢核；满足共振条件：

0=H0/(2)

产生单一吸收峰；

实际上，氢核受周围不停运动着电子影响。在外磁场作用下，运动着电子产生相对于外磁场方向感应磁场，起到屏蔽作用，使氢核实际受到外磁场作用减小：

H=（1-）H0

：屏蔽常数。越大，屏蔽效应越大。

0=[/(2)]（1-）H0

屏蔽存在，共振需更强外磁场(相对于裸露氢核)。

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化学位移：

chemicalshift

0=[/(2)]（1-）H0

因为屏蔽作用存在，氢核产生共振需要更大外磁场强度（相对于裸露氢核），来抵消屏蔽影响。

在有机化合物中，各种氢核周围电子云密度不一样（结构中不一样位置）共振频率有差异，即引发共振吸收峰位移，这种现象称为化学位移。

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2.化学位移表示方法

(1)位移标准

没有完全裸露氢核，没有绝正确标准。

相对标准：四甲基硅烷Si(CH3)4（TMS）（内标）

位移常数TMS=0

(2)为何用TMS作为基准?

a.12个氢处于完全相同化学环境，只产生一个尖峰；

b.屏蔽强烈，位移最大。与有机化合物中质子峰不重迭；

c.化学惰性；易溶于有机溶剂；沸点低，易回收。

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位移表示方法

与裸露氢核相比，TMS化学位移最大，但要求TMS=0，其它种类氢核位移为负值，负号不加。

=[（样-TMS)/TMS]106(ppm)

小，屏蔽强，共振需要磁场强度大，在高场出现，图右侧；

大，屏蔽弱，共振需要磁场强度小，在低场出现，图左侧；

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二、影响化学位移原因

factorsinfluencedchemicalshift

1．电负性--去屏蔽效应

与质子相连元素电负性越强，吸电子作用越强，价电子偏离质子，屏蔽作用减弱，信号峰在低场出现。

-CH3，=1.6~2.0，高场；

-CH2I，=3.0~3.5,

-O-H，-C-H，

大小

低场高场

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电负性对化学位移影响

碳杂化轨道电负性：SPSP2SP3

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影响化学位移原因--磁各向异性效应

价电子产生诱导磁场，质子位于其磁力线上，与外磁场方向一致，去屏蔽。

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影响化学位移原因3–诱导效应

价电子产生诱导磁场，质子位于其磁力线上，与外磁场方向一致，去屏蔽。

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影响化学位移原因4

苯环上6个电子产生较强诱导磁场，质子位于其磁力线上，与外磁场方向一致，去屏蔽。

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2.氢键效应

形成氢键后1H核屏蔽作用降低，氢键属于去屏蔽效应。

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4.各类有机化合物化学位移

①饱和烃

-CH3:CH3=0.791.10ppm

-CH2:CH2=0.981.54ppm

-CH:CH=CH3+(0.50.6)ppm

H=3.2~4.0ppm

H=2.2~3.2ppm

H=1.8ppm

H=2.1ppm

H=2~3ppm