CN102983119A Soi上用于电子束套刻的凹陷型对准标记及制作方法 （华中科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN102983119A

(43)申请公布日2013.03.20

(21)申请号201210474410.0

(22)申请日2012.11.22

(71)申请人华中科技大学

地址430074湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人曾成夏金松李丹萍

(74)专利代理机构华中科技大学专利中心

42201

代理人李智

(51)Int.CI.

HO1L23/544(2006.01)

HO1L21/02(2006.01)

GO3F9/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图5页

(54)发明名称

SOI上用于电子束套刻的凹陷型对准标记及制作方法

(57)摘要

CN102983119A本发明公开了一种SOI衬底上电子束套刻工艺所需的凹陷型对准标记制作方法，具体为：清洗SOI衬底；在SOI衬底上涂敷光学抗蚀剂，采用光刻工艺将对准标记的版图转移到光学抗蚀剂上；在SOI衬底和光学抗蚀剂表面镀金属薄膜；剥离去除镀在光学抗蚀剂上的金属薄膜；在剥离金属薄膜处刻蚀SOI衬底的硅和二氧化硅，得到凹陷型对准标记；去除SO