CN102916338B 一种制作GaAs基半导体激光器非吸收窗口的方法 （长春理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN102916338B公告日2018.11.02

(21)申请号201210380871.1

(22)申请日2012.10.10

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN102916338A

(43)申请公布日2013.02.06

(73)专利权人长春理工大学

地址130022吉林省长春市朝阳区卫星路

7089号

(72)发明人周路王云华薄报学高欣乔忠良贾宝山白端元

(51)Int.CI.

H01S5/028(2006.01)

(56)对比文件

GB2358281A,2001.07.18,

CN1874088A,2006.12.06,

JP2012146996A,2012.08.02,CN1870220A,2006.11.29,

审查员吴博

权利要求书1页说明书2页附图1页

(54)发明名称

一种制作GaAs基半导体激光器非吸收窗口的方法

(57)摘要

CN102916338B一种制作GaAs基半导体激光器非吸收窗口的方法，属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高器件抗COD能力，同时使工艺难度和成本