CN102818516B 耐高温硅应变计传感器芯片及其制作方法 （无锡永阳电子科技有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN102818516B(45)授权公告日2015.03.11

(21)申请号201210314514.5

(22)申请日2012.08.30

(73)专利权人无锡永阳电子科技有限公司

地址214000江苏省无锡市太科园新安街道

振兴路28号

(72)发明人朱荣惠郝晓卿

(74)专利代理机构宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙)32208

代理人蔡凤苞

(51)Int.CI.

GO1B7/16(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

(56)对比文件

CN1970434A,2007.05.30,说明书第3页第3-6段，图1.

CN1402333A,2003.03.12,说明书第4页第倒数第1-2段，图2.

CN2069171U,1991.01.09,全文.CN1630029A,2005.06.22,全文.US4904978,1990.02.27,全文.

审查员赵令令

权利要求书1页说明书3页附图4页

(54)发明名称

耐高温硅应变计传感器芯片及其制作方法

(57)摘要

CN102818516B本发明涉及耐高温硅应变计传感器芯片及其制作方法，其特征在于压敏电阻及势垒金属沉积层制作在SOI材料上。直接使用绝缘衬底上的硅材料(SOI材料)隔离，压敏电阻及势垒金属沉积层制作在SOI材料上，从而消除了PN结产生的漏电流，使硅应变计传感器工作的高温情况下却不会发生误读的情况，使工作温度范围大大提高，可高达225到250℃,另外，使用钨制作势垒金属沉

CN102818516B

CN102818516B权利要求书1/1页

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1.一种耐高温硅应变计传感器芯片制作方法，其特征在于：压敏电阻及势垒金属沉积层制作在SOI材料上；所述势垒金属沉积层由钨通过化学气相积淀制作而成；

包括如下步骤：

A、在硅衬底表面氧化形成埋氧层，然后与晶圆高温键合，硅衬底剥离并抛光制成单晶硅层，形成SOI材料；

B、在SOI材料的单晶硅层表面进行氧化、氮化硅低压化学气相积淀，生长出氮化硅及二氧化硅复合层；

C、氮化硅及二氧化硅复合层表面涂满光刻胶后软烘干，进行一次光刻、腐蚀、离子注入、去除光刻胶；二次进行光刻、腐蚀、硼离子注入，去除光刻胶，清洗形成压敏电阻；

D、未掺杂的低压化学气相沉积氧化物及硼磷硅玻璃在低温下沉积、回流、强化形成两层金属中间介质层；光刻、腐蚀形成连接至压敏电阻的接触孔；由钨通过化学气相积淀制作势垒金属沉积层，然后金属铝通过溅射在势垒金属沉积层上形成绑定线用的焊盘；

E、整个芯片的表面通过氧和氮等离子体增强化学气相沉积形成氧化物和氮化物，表面刻蚀后露出焊盘，然后整个芯片用氮气/氢离子气体退火后形成氧化物和氮化物钝化层与铝接触；

F、将晶圆层的厚度减薄，并在芯片顶层覆盖一层聚酰亚胺并烘烤硬化。

CN102818516B说明书1/3页

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耐高温硅应变计传感器芯片及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及一种传感器芯片及其制作方法，尤其是涉及一种耐高温硅应变计传感器芯片及其制作方法。

背景技术

[0002]硅具有高剂量因子特性，经常被用来制作硅应变计传感器，现代的硅制程技术已经使批量生产这种传感器成为可能，而且用于应变计传感器的压敏电阻的掺杂等级可以根据压力的大小来决定掺杂等级。

[0003]众所周知，零点漂移是影响传感器性能的重要指标，而PN结的反向漏电流大大的影响了零点漂移。现有技术中，用普通的体硅晶圆制作的应变计传感器芯片，压敏电阻依靠PN结与衬底隔离，工作到125℃并不困难。但是PN结的反向漏电流随温度升高而呈指数形式增高，即PN结的漏电流随温度每上升7度就会增加1倍。在常温下，一般漏电流最大值小于100nA,芯片在125℃以上的温度，压阻条和硅衬底的漏电流可以达到几百nA,甚至1mA,因此会大大的影响压力芯片型变量的零点漂移，所以硅应变计传感器的应用工作温度范围的温度不能太高，一般不能超过125度。

发明内容

[0004]本申请人针对上述的问题，进行