CN103904112B 耗尽型绝缘栅AlGaNGaN器件结构及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103904112B公告日2017.01.04

(21)申请号201410025026.1

(22)申请日2014.01.20

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN103904112A

(43)申请公布日2014.07.02

(73)专利权人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人冯倩杜锴梁日泉代波张进城郝跃

(74)专利代理机构北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司11385

代理人董芙蓉

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

(56)对比文件

US2009/0250767A1,2009.10.08,US2009/0078964A1,2009.03.26,

CN101414635A,2009.04.22,审查员黄宝莹

权利要求书2页说明书4页附图2页

(54)发明名称

耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法

绝缘层硅化物钝

绝缘层

硅化物

钝化膜

加摩电楼

CN103904112BGaN本发明公开了一种耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法，所述结构包括衬底、本征GaN层、A1N隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层、钝化层以及用于调节二维电子气浓度的硅化物。所述源电极、漏电极以及绝缘层位于AlGaN掺杂层之上，所述栅电极和硅化物位于绝缘层之上，所述硅化物为块状，对绝缘层和AlGaN层引入压应力，硅化物之间的AlGaN层受到张应力，通过使块间距小于块宽度，使得AlGaN层总体获得张应力，从而使沟

CN103904112B

GaN

CN103904112B权利要求书1/2页

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1.一种耗尽型绝缘栅A1GaN/GaN器件结构，其特征在于：所述结构包括衬底、本征GaN层、A1N隔离层、本征A1GaN层、A1GaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层、钝化层以及用于调节二维电子气浓度的硅化物；所述AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上，所述的源漏电极以及绝缘层位于A1GaN掺杂层之上，栅电极和硅化物位于绝缘层之上；在衬底上外延生长有耗尽型AlGaN/GaN异质结材料，并在该异质结材料上形成有源电极和漏电极，然后淀积一层绝缘层，所述的栅电极位于绝缘层上，在栅源电极和栅漏电极之间的绝缘层上，形成有硅化物，所述的硅化物为块状，对绝缘层和AlGaN层引入压应力，硅化物之间的AlGaN层会受到张应力，通过使块间距小于块宽度，使得AlGaN层总体获得张应力，从而使沟道中2DEG得到增强，所述的硅化物包括NiSi,TiSi?或Co?Si。

2.根据权利要求1所述的一种耗尽型绝缘栅A1GaN/GaN器件结构，其特征在于：其中的衬底的材料是蓝宝石、碳化硅、GaN或Mg0。

3.根据权利要求1所述的一种耗尽型绝缘栅A1GaN/GaN器件结构，其特征在于：其中本征AlGaN层和AlGaN掺杂层中的A1与Ga的组份能够调节，AlxGa?-xN中x=0~1。

4.根据权利要求1所述的一种耗尽型绝缘栅A1GaN/GaN器件结构，其特征在于：绝缘层的厚度为5~10nm。

5.根据权利要求1所述的一种耗尽型绝缘栅A1GaN/GaN器件结构，其特征在于：其本征GaN层替换为AlGaN层，而该AlGaN中A1的组份小于本征AlGaN层和AlGaN掺杂层中的A1组份。

6.根据权利要求1所述的一种耗尽型绝缘栅A1GaN/GaN器件结构，其特征在于：栅电极采用绝缘栅结构，减小栅电极漏电流。

7.基于一种耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构的制作方法，包括如下步骤：

(1)对外延生长的AlGaN/GaN材料进行有机清洗，用流动的去离子水清洗并放入HC1:H?O=1:1体积比的溶液中进行腐蚀30-60s,最后用流动的去离子水清洗并用高纯氮气吹干；

(2)对清洗干净的AlGaN/GaN材料进行光刻和干法刻蚀，形成有源区台面；

(3)对制备好台面的A1GaN