CN103443930B 硅量子点的光活性层及其制作方法 (韩国标准科学研究院).docxVIP

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CN103443930B 硅量子点的光活性层及其制作方法 (韩国标准科学研究院).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103443930B告日2015.12.02

(21)申请号201280014208.8

(22)申请日2012.03.22

(30)优先权数据

10-2011-00254252011.03.22KR

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2013.09.18

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/KR2012/0020602012.03.22

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2012/128564EN2012.09.27

(73)专利权人韩国标准科学研究院地址韩国大田广域市

(72)发明人金庆中洪升辉朴裁熙张淙植

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人顾晋伟全万志

(51)Int.CI.

HO1L31/0352(2006.01)

HO1L33/06(2010.01)

HO1L33/08(2010.01)

HO1L33/34(2010.01)

HO1L31/0368(2006.01)

(56)对比文件

JP特开平9-102596A,1997.04.15,全

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