CN103855089A 逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法 （江苏物联网研究发展中心）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103855089A

(43)申请公布日2014.06.11

(21)申请号201210519817.0

(22)申请日2012.12.06

(71)申请人江苏物联网研究发展中心

地址214135江苏省无锡市新区菱湖大道

200号中国传感网国际创新园C座申请人中国科学院微电子研究所

江苏中科君芯科技有限公司

(72)发明人朱阳军田晓丽张文亮吴振兴

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

代理人王宝筠

(51)Int.CI.

HO1L21/8222(2006.01)

HO1L27/082(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图2页

(54)发明名称

逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法

提供一重掺杂衬底形成厚度大于1

提供一重掺杂衬底

形成厚度大于1μm、峰值浓度为le14/cm3~3e16/cm3的缓冲层

减薄所述重掺杂衬底

CN103855089A一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法，该方法包括：提供一重掺杂衬底，在所述重掺杂衬底表面上形成缓冲层，所述缓冲层的厚度大于1μm,峰值浓度为1e14/cm3~3e16/cm3,减薄所述重掺杂衬底。由于所述缓冲层的厚度可以根据器件的耐压水平做的更厚，而浓度可以做的更加精确，所以可以进一步的优化逆导型绝缘栅双极

CN103855089A

CN103855089A权利要求书1/2页

2

1.一种逆导型绝缘栅双极晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供一重掺杂衬底；

在所述重掺杂衬底表面上形成缓冲层，所述缓冲层的厚度大于1μm,峰值浓度为lel4/cm～3e16/cm;

减薄所述重掺杂衬底。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为5μm～30μm。

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，形成缓冲层所采用的工艺为外延工艺。

4.根据权利要求1所述方法，其特征在于，在所述重掺杂衬底表面形成缓冲层之后，减薄所述重掺杂衬底之前，还包括：

在所述缓冲层表面形成轻掺杂层；

在所述轻掺杂层上形成逆导型绝缘栅双极晶体管的正面结构。

5.根据权利要求4所述方法，其特征在于，形成轻掺杂层所采用的工艺为外延工艺。

6.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所述轻掺杂层的厚度为70μm～300μm。

7.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述减薄所述重掺杂衬底的过程，包括：

采用化学机械研磨工艺减薄所述重掺杂衬底，减薄后的重掺杂衬底厚度为0.5μm~1μm。

8.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述减薄所述重掺杂衬底后，还包括：

在所述重掺杂衬底内形成短路区窗口，露出所述缓冲层，并在所述缓冲层内形成短路区。

9.根据权利要求8所述方法，其特征在于，在所述重掺杂衬底内形成短路区窗口，露出所述缓冲层，并在所述缓冲层内形成短路区的过程，包括：

在所述重掺杂衬底背面形成光刻胶层；

利用具有短路区窗口图形的掩膜版对所述光刻胶层进行曝光；

采用显影工艺，在所述光刻胶层上形成短路区窗口图形；

以具有短路区窗口图形的光刻胶层为掩模，对所述重掺杂衬底进行刻蚀，形成短路区窗口，并露出缓冲层，未被刻蚀掉的重掺杂衬底为集电区；

以具有短路区窗口图形的光刻胶层为掩模，采用离子注入工艺，在所述缓冲层内形成短路区；

去除光刻胶层，进行退火。

10.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述减薄所述重掺杂衬底之后，还包括：

在所述重掺杂衬底内形成集电区窗口，露出所述缓冲层，并在所述缓冲层内形成集电区。

11.根据权利要求10所述方法，其特征在于，在所述重掺杂衬底内形成集电区窗口，露出所述缓冲层，并在所述缓冲层内形成集电区的过程，包括：

在所述重掺杂衬底背面形成光刻胶层；

利用具有集电区窗口图形的掩膜版对所述光刻胶层进行曝光；

采用显影工艺，在所述光刻胶层上形成集电区窗口图形；

以具有集电区窗口图形的光刻胶层为掩模，对所述重掺杂衬底进行刻蚀，形成集电区窗口，并露出缓冲层，未被刻蚀掉的重掺杂衬底为短路区；

CN103855089A权利要求书