CN103789747A 一种气体喷淋头及制作该气体喷淋头的方法 （中微半导体设备(上海)有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN103789747A

(43)申请公布日2014.05.14

(21)申请号201210419129.7

(22)申请日2012.10.26

(71)申请人中微半导体设备(上海)有限公司

地址201201上海市浦东新区金桥出口加工

区(南区)泰华路188号

(72)发明人彭帆徐朝阳贺小明左涛涛

(74)专利代理机构上海智信专利代理有限公司

31002

代理人王洁

(51)Int.CI.

C23C16/455(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

一种气体喷淋头及制作该气体喷淋头的方法

(57)摘要

CN103789747A本发明提供一种气体喷淋头和制作该气体喷淋头的方法，所述的方法包括下列步骤：在一石墨圆盘上设置若干个第一孔径的孔；将所述石墨圆盘放置在一沉积反应器中，在所述石墨圆盘的上下表面以及所述第一小孔内壁沉积一层碳化硅；在完成沉积的所述第一孔径的孔内设置第二孔径的孔，所述第二孔径小于所述第一孔径。通过采用该技术方案，使得石墨圆盘的下表面和进气孔的内壁表面沉积不易被等离子体腐蚀的碳化

CN103789747A

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CN103789747A权利要求书1/1页

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1.一种制作气体喷淋头的方法，其特征在于，所述的方法包括下列步骤：

a).在一石墨圆盘上设置若干个第一孔径的孔；

b).将所述石墨圆盘放置在一沉积反应器中，在所述石墨圆盘的下表面以及所述第一小孔内壁沉积一层碳化硅；

c).在完成沉积的所述第一孔径的孔内制作第二孔径的孔，所述第二孔径小于所述第一孔径。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的沉积反应方法为化学气相沉积法，所述的沉积反应器为化学气相沉积反应器。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述石墨圆盘的上表面也沉积一层碳化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一小孔的孔径范围为1毫米—6毫米，所述第二小孔的孔径范围为0.1毫米—2毫米。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述石墨圆盘的上下表面以及所述第一小孔内壁沉积的碳化硅的厚度与化学气相沉积反应器内的反应气体浓度和反应时间成正比。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的碳化硅层外进一步沉积一层氧化钇，所述的氧化钇层通过化学气相沉积法或等离子体增强化学气相沉积法形成。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的碳化硅层厚度大于0.5毫米。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一孔径的孔和第二孔径的孔在所述气体喷淋头上均匀分布。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一孔径的孔下端从靠近等离子体的石墨圆盘表面开始制作，所述第一孔径的孔的高度小于所述石墨圆盘的厚度。

10.一种气体喷淋头，所述气体喷淋头包括一石墨圆盘，所述石墨圆盘上下表面涂覆一层碳化硅，其特征在于：所述石墨圆盘设置若干个小孔，所述小孔内壁涂覆一层碳化硅，所述小孔内壁涂覆的碳化硅厚度大于0.5毫米。

CN103789747A说明书1/3页

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一种气体喷淋头及制作该气体喷淋头的方法

技术领域

[0001]本发明涉及半导体器件的制造领域，尤其涉及一种制作控制反应气体进入反应腔的喷淋头的技术领域。

背景技术

[0002]在半导体设备的制造过程中，例如蚀刻、沉积、氧化、溅射等处理过程中，通常会利用等离子体对基片(半导体晶片、玻璃基片等)进行处理。一般地，对于等离子体处理装置来说，作为生成等离子体的方式，在高频放电方式的等离子体处理装置中，包括电容耦合型等离子体反应器和电感耦合型等离子体反应器。所述的电容耦合型反应器通常配置有上部电极和下部电极，优选地这两个电极平行设置。而且，通常在下部电极之上载置被处理基片，经由整合器将等离子体生成用的高频电源施加于上部电极或者下部电极。通过由该高频电源所生成的高频电场来使反应气体的外部电子加速，从而产等离子体对下部基片进行等离子处理。

[0003]近年来，在半导体制造领域，使用了用于向待处理基片以喷淋状供气的喷淋头。例如在等离子体刻蚀处理设备