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- 2026-03-15 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN103854998A
(43)申请公布日2014.06.11
(21)申请号201210519402.3
(22)申请日2012.12.06
(71)申请人江苏物联网研究发展中心
地址214135江苏省无锡市新区菱湖大道
200号中国传感网国际创新园C座申请人中国科学院微电子研究所
江苏中科君芯科技有限公司
(72)发明人朱阳军吴振兴田晓丽卢烁今
(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227
代理人王宝筠
(51)Int.CI.
HO1L21/331(2006.01)
HO1L29/739(2006.01)
HO1L29/15(2006.01)
权利要求书2页说明书9页附图3页
(54)发明名称
内透明集电极绝缘栅双极晶体管及其制作方法
S1提供一重掺杂衬底
S1
提供一重掺杂衬底
S2
采用分子束外延工艺形成GeSi/Si多量子阱应变超晶格层
在所述GeSi/Si多量子阱应变超晶格层表面上形成轻掺杂层
CN103854998A一种内透明集电极绝缘栅双极晶体管及其制作方
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