CN103491323B 一种cmos图像传感器的像素单元和阵列及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN103491323B公告日2018.10.16

(21)申请号201310393572.6

(22)申请日2013.09.02

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN103491323A

(43)申请公布日2014.01.01

(73)专利权人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

(72)发明人顾学强周伟肖慧敏

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275

代理人吴世华林彦之

(56)对比文件

CN102856340A,2013.01.02,

CN102695007A,2012.09.26,

CN101796642A,2010.08.04,

CN103067676A,2013.04.24,

US2011234830A1,2011.09.29,CN102881703A,2013.01.16,

US2006011952A1,2006.01.19,

审查员吴迎君

(51)Int.CI.

HO4N5/374(2011.01)

HO1L27/146(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图5页

(54)发明名称

一种CMOS图像传感器的像素单元和阵列及其制作方法

(57)摘要

CN103491323B本发明公开了一种CMOS图像传感器的像素单元及其制造方法，属于半导体技术领域。像素单元包括：感光二极管和传输管组，所述传输管组包括若干个分别在源极端和漏极端进行并联的传输管，每个所述传输管的栅极与所述感光二极管的注入区形成大小不同的重叠区，以具备不同的传输效率；所述感光二极管用于进行光电转换以将光子转换为电子；所述传输管组用于根据入射光的照度有选择的启动对应传输效率的传输管进行所述电子的传输，从而将所述电子从所述传输管组的源极端传输到漏极端并转换为电压信号。本发明中，根据入射光的照度有选择的启动传输管组对应传输效率的传输管进行所述

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CN103491323B权利要求书1/1页

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1.一种CMOS图像传感器的像素单元，其特征在于，包括：感光二极管和传输管组，所述传输管组包括若干个分别在源极端和漏极端进行并联的传输管，每个所述传输管的栅极与所述感光二极管的注入区形成大小不同的重叠区，以具备不同的传输效率；所述感光二极管用于进行光电转换以将光子转换为电子；所述传输管组用于根据入射光的照度有选择的启动对应传输效率的传输管进行所述电子的传输，从而将所述电子从所述传输管组的源极端传输到漏极端并转换为电压信号，其中，当入射光的照度为低光照时，所述传输管组中重叠区较大且具备较高的传输效率的传输管传输所述电子；反之，当入射光的照度为高光照时，所述传输管组中重叠区较小且具备较低的传输效率传输管传输所述电子。

2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，还包括：复位管，用于控制对所述感光二极管的复位；所述复位管的漏极连接有漏极电压，所述复位管的源极与所述传输管组的漏极端相连，所述复位管的栅极连接有第一栅极控制电压。

3.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，还包括：源极跟随管，用于对所述电压信号进行放大处理；所述源极跟随管的漏极连接有漏极电压，所述源极跟随管的栅极与所述传输管组的漏极端连接。

4.根据权利要求3所述的像素单元，其特征在于，还包括：行选管，用于控制所述感光二极管的选中；所述行选管的漏极与所述源极跟随管的源极相连，所述行选管的源极与输出电压端连接，所述行选管的栅极连接有第二栅极控制电压。

5.一种图像传感器像素阵列，其特征在于，包括权利要求1至4任意一项所述的像素单元。

6.一种像素单元的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成传输管组中分别在源极端和漏极端进行并联的若干个传输管；

在衬底上形成感光二极管的注入区，并使所述注入区与各个传输管的