CN104090999B 一种sram中mos角模型的制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104090999B公告日2018.05.29

(21)申请号201410286997.1

(22)申请日2014.06.24

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104090999A

(43)申请公布日2014.10.08

(73)专利权人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区浦东张江高

斯路497号

专利权人成都微光集电科技有限公司

(72)发明人任铮郭奥胡少坚周伟

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)31275代理人吴世华林彦之

(51)Int.CI.

GO6F17/50(2006.01)

审查员李丹阳

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种SRAM中MOS角模型的制作方法

(57)摘要

CN104090999B本发明提供了一种MOS角模型的制作方法，首先，初步提取出SRAM单元中同类型的MOS的原始角模型；然后，测量SRAM单元的读电流数据，对这些读电流数据进行统计分析，计算得到SRAM单元的最快读电流数据和最慢读电流数据；最后，根据上述最快、最慢读电流数据对原始角模型的参数进行优化调整，使原始角模型经仿真后得到的读电流数据分别与最慢读电流数据、最快读电流数据相一致，从而克服了传统的MOS角模型的制作方法所提取的SRAM单元的MOS

CN104090999B

测量不问位置的SRAM单元中同类型MOS的特性数据，初步提取SRAM中同类型MOS的原始角模型

巢测SRAM单元的读写电流数据，对读与电数数据进行统计分析，计算出SRAM单元的最慢读写电流数据和最快读写电流数据

根据最慢读电流数据和最快读电流数据对原始角模型进行优化，使得

原始角模型进行仿真后得到的读电流数据分别与最慢读电流数据、最

快读电流数据相一致

S01

302

S03

CN104090999B权利要求书1/1页

2

1.一种SRAM中MOS角模型的制作方法，其特征在于，包括：

步骤S01:测量不同位置的SRAM单元中同类型MOS的特性数据，并初步提取SRAM中同类型MOS的原始角模型；其中，所述原始角模型的初步提取方法包括：采用SPICE模拟程序，根据测量到的特性数据得到FF、FS、SF、SS四个工艺角的原始角模型；

步骤S02:量测所述SRAM单元的读电流数据，对所述读电流数据进行统计分析，计算出所述SRAM单元的最慢读电流数据和最快读电流数据；

步骤S03:根据所述最慢读电流数据和所述最快读电流数据对所述原始角模型进行优化，使得所述原始角模型进行仿真后得到的读电流数据分别与所述最慢读电流数据、所述最快读电流数据相一致；其中，调整所述原始角模型的参数，使得所述SRAM单元中，采用SS原始角模型进行仿真得到的读电流数据与所述最慢读电流数据相一致，采用FF原始角模型进行仿真得到的读电流数据与所述最快读电流数据相一致。

2.根据权利要求1所述的SRAM中MOS角模型的制作方法，其特征在于，所述步骤S01中，所述MOS的特性数据包括：阈值电压、饱和电流、以及线性区电流。

3.根据权利要求1所述的SRAM中MOS角模型的制作方法，其特征在于，所述步骤SO2包括：

步骤A01:测量所述SRAM单元的读电流数据；

步骤A02:对所述读电流数据进行高斯拟合分析，得到高斯分布图；

步骤A03:根据所述高斯分布图，计算得到位于所述高斯分布图中正、负3个标准差处的读电流数据；其中，位于所述正3个标准差处的读电流数据为所述最快读电流数据，位于所述负3个标准差处的读电流数据为所述最慢读电流数据。

4.根据权利要求3所述的SRAM中MOS角模型的制作方法，其特征在于，所述SRAM单元中包含传输MOS,所述步骤A01包括：记录同一个所述SRAM单元中所有传输MOS的读电流数据；并对同一个所述SRAM单元的读电流数据测量两次，求平均值。

5.根据权利要求4所述的SRAM中MOS角模型的制作方法，其特征在于，同一个所述SRAM中的传输MOS的数量为2个。

CN104090999B说明书