CN104157690A 一种带槽型结构的应变nldmos器件及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104157690A

(43)申请公布日2014.11.19

(21)申请号201410401006.X

(22)申请日2014.08.14

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)西

源大道2006号

(72)发明人王向展邹淅黄建国赵迪张易曾庆平于奇刘洋

(74)专利代理机构电子科技大学专利中心

51203

代理人李明光

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图5页

(54)发明名称

一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法

(57)摘要

CN104157690A本发明提供了一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法，属于半导体技术领域。技术方案为：带槽型结构的应变NLDMOS