CN104121865A 光纤珐珀应变传感器、传感系统及传感器制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(12)发明专利申请(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104121865A

(43)申请公布日2014.10.29

(21)申请号201410370391.6

(22)申请日2014.07.30

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)西

源大道2006号

(72)发明人冉曾令罗配良骆书成杨彦广戴金雯李绪国闽夫

(74)专利代理机构北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350

代理人汤东凤

(51)Int.CI.

G01B11/16(2006.01)

GO1K11/32(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

光纤珐珀应变传感器、传感系统及传感器制作方法

(57)摘要

CN104121865A本发明的光纤珐珀应变传感器，包括相互熔接的两段光纤(1)和(2),光纤(1)上与光纤(2)熔接的一端具有圆孔，圆孔与单模光纤(1)和(2)形成非本征型珐珀腔；所述光纤(2)的另一端平整，并具有砷化镓镀膜。本发明的有益效果：本发明的光纤珐珀应变传感器及其系统与现有的珐珀应变传感器相比具有如下优点：砷化镓薄膜的本征吸收波长不受薄膜应力等外界因素影响，只和温度有关。砷化镓薄膜本征吸收快，耐高温，能满足高温条件下温度的实时测量。该珐珀应变传

CN104121865A

CN104121865A权利要求书1/1页

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1.光纤珐珀应变传感器，其特征在于，包括相互熔接的两段光纤(1)和(2),光纤(1)上与光纤(2)熔接的一端具有圆孔，圆孔与光纤(1)和(2)形成非本征型珐珀腔；所述光纤(2)的另一端平整，并具有测温镀膜层。

2.根据权利要求1所述的光纤珐珀应变传感器，其特征在于，测温镀膜层具体为砷化镓镀膜、磷化镓镀膜或硅镀膜之一。

3.根据权利要求1或2所述的光纤珐珀应变传感器，其特征在于，光纤为单模光纤。

4.根据权利要求3所述的光纤珐珀应变传感器，其特征在于，测温镀膜层的厚度为100-300nm。

5.根据权利要求1-4之任一项权利要求所述的光纤珐珀应变传感器，其特征在于，光纤(1)和(2)截取自同一光纤。

6.光纤珐珀应变传感系统，其特征在于，包括由2×1耦合器连接的光纤珐珀应变传感器、光源和解调器，其连接关系满足光源发出的光经耦合器后传输至传感器，并经传感器反射回耦合器，反射光经耦合器传输至用于处理反射光的解调器。

7.光纤珐珀应变传感器制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、加工光纤(1),将其一端切割平整，在平整的端面加工圆孔；

S2、截取与光纤(1)相同的光纤(2),将其一端切割平整后与光纤A熔接形成非本征型珐珀腔；

S3、将距离珐珀腔10cm处光纤(1)或(2)的另一端切割平整，并使用研磨机研磨处理；S4、对经研磨处理后的光纤端镀上测温镀膜层。

8.根据权利要求7所述的光纤珐珀应变传感器制作方法，其特征在于，测温镀膜层具体为砷化镓镀膜、磷化镓镀膜或硅镀膜之一。

9.根据权利要求7或8所述的光纤珐珀应变传感器制作方法，其特征在于，步骤S4中砷化镓薄膜的厚度为100nm。

10.根据权利要求9所述的光纤珐珀应变传感器制作方法，其特征在于，步骤S4的具体方法为：使用溅射离子镀膜设备在真空环境下用高能离子轰击砷化镓靶材，使靶材表面的离子获得能量并逸出表面，并沉积于所述研磨处理后的光纤端，形成砷化镓薄膜。

CN104121865A说明书1/4页

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光纤珐珀应变传感器、传感系统及传感器制作方法

技术领域

[0001]本发明属于光学传感元件技术领域，具体涉及一种光纤传感器，特别涉及一种能够同时测量应变和温度的吸收式温度补偿的光纤珐珀应变传感器、以该传感器为核心的传感系统以及上述传感器的制作方法。

背景技术

[0002]在半导体(如砷化镓)传感器应用领域，应用本征半导体的禁带宽度随温度升高而减小的现象，在1999年，曹康敏等人用砷化镓晶片作敏感元、光纤作导光系统、半导体发光二极管作光源、半导体光电二极管做光电转换元，构成了半导体吸收式光纤温度传感器。