CN104090999A 一种sram中mos角模型的制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN104090999A

(43)申请公布日2014.10.08

(21)申请号201410286997.1

(22)申请日2014.06.24

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路

497号

申请人成都微光集电科技有限公司

(72)发明人任铮郭奥胡少坚周伟

(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)31275代理人吴世华林彦之

(51)Int.CI.

GO6F17/50(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种SRAM中MOS角模型的制作方法

(57)摘要

本发明提供了一种MOS角模型的制作方法，首先，初步提取出SRAM单元中同类型的MOS的原

测量不同位置的SRAM单元中阿类型MOS的特性数据，初步提取SRAM中同类型MOS的原始角模型

501

始角模型；然后，测量SRAM单元的读电流数据，对这些读电流数据进行统计分析，计算得到SRAM单

量测SRAM单元的读写电流数据，对读写电流数数据进行统计分析，计算出SRAM单元的最慢读写电流数据和最快读写电流数据

S02

元的最