CN104538837B 一种纳米等离子体阵列激光器及其制作方法 (电子科技大学).docxVIP

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  • 2026-03-19 发布于重庆
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CN104538837B 一种纳米等离子体阵列激光器及其制作方法 (电子科技大学).docx

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN104538837B公告日2017.05.10

(21)申请号201510013055.0

(22)申请日2015.01.09

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN104538837A

(43)申请公布日2015.04.22

(73)专利权人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人赵青黄小平刘友亮王鹏

(74)专利代理机构电子科技大学专利中心

51203

代理人李明光

(51)Int.CI.

H01S5/04(2006.01)

H01S5/20(2006.01)

(56)对比文件

CN102130422A,2011.07.20,

CN103901538A,2014.07.02,

CN102957086A,2013.03.06,

US2009/0045720A1,2009.02.19,EP1804350A1,2007.07.04,

CN102780156A,2012.11.14,审查员刘营

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种纳米

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