摘要
绝缘栅双极性晶体管(IGBT)是功率半导体器件中的明星器件,已经在智
能电网、新能源汽车、光伏逆变和轨道交通领域广泛应用。为了应对更复杂的工
作环境和获得更高的效率,对IGBT的性能提出了更高的要求。在本文中,对IGBT
的三种不同区域的结构做出改进,分别是:改善栅极机构的自适应浮空分裂栅
IGBT(AFSG-IGBT)、改善发射区结构的自偏置空穴抽取通路和阻塞结
IGBT(APBJ-IGBT)和改善漂移区结构的浮空P漂移区阻塞结横向IGBT
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