聚噻吩衍生物薄膜的结构设计及其在电致变色器件中的应用研究.pdfVIP

摘要

聚噻吩（PT）衍生物因其颜色丰富、分子结构可设计、质量轻且加工性能优良，在智

能窗、防眩目后视镜、储能器件、智能标签、电子皮肤、显示器及传感器等领域具有广阔

的应用前景。然而，现有电致变色器件（ECDs）中聚噻吩衍生物薄膜存在响应时间长、

循环稳定性差的问题，从而极大地限制了其在固态大面积快速切换ECDs中的应用。为

此，本论文采用一种简单有效的电化学聚合方法在ITO玻璃上制备聚噻吩衍生物薄膜，

通过引入螺旋状多壁碳纳米管（H-MWCNTs）、魔蓝（MB）掺杂、制备复合薄膜和调节主

链共轭程度对薄膜的结构进行设计，系统研究聚噻吩衍生物薄膜的组成及微观形貌变化

对器件变色性能的影响。主要研究内容如下：

（1）采用恒电位沉积法在ITO玻璃上制备聚（噻吩并[3,2-b]噻吩）（PT32BT）薄膜，

在PT32BT薄膜上喷涂上一层H-MWCNTs制得PT32BT/H-MWCNTs双层薄膜，进而再

沉积一层PT32BT得到三层薄膜，以聚（3,4-乙烯二氧噻吩）（PEDOT）为离子储存层组

装电致变色器件，探究复合薄膜的组成、结构、微观形貌对器件变色性能的影响。结果