低位错密度锗硅虚衬底制备方法.pdfVIP

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  • 2026-04-23 发布于北京
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发明专利列表

发明专利名称公告日专利号

低位错密度锗硅虚衬底的方法2008.12200710008498.6

用于紫外光探测器的双层减反射膜及其方法2008.12200710008768.3

制作光子晶体的无透镜光学装置2008.12200610122343.0

单光电探测器共焦激光三角测量装置2008.12200610135405.1

一种分离水中溶解空气的装置和方法2008.12200510083445.1

气动端面行星运动式石磨具2008.12200610080087.3

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