2026年大学电子信息工程电子技术试题及答案.docx

2026年大学电子信息工程(电子技术)试题及答案

一、模拟电子技术基础（总分40分）

1.选择题（每题2分，共20分）

1.1关于GaN肖特基二极管的伏安特性，下列描述正确的是()

A.正向导通电压比硅二极管高，反向击穿电压比硅二极管低

B.正向导通电压比硅二极管低，反向击穿电压比硅二极管高

C.正向导通电压与硅二极管相当，反向击穿电压远高于硅二极管

D.正向导通电压比硅二极管高，反向击穿电压远高于硅二极管

答案：D

解析：GaN材料的禁带宽度（3.4eV）远大于硅材料（1.12eV），因此GaN肖特基二极管的正向导通电压（约2.0V）高于硅二极管（约0.7V）；同时，GaN材料