CN110885971A 薄膜沉积方法 （Asm Ip私人控股有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110885971A

(43)申请公布日2020.03.17

(21)申请号201910857144.1

(22)申请日2019.09.11

(30)优先权数据

10-2018-01085232018.09.11KR

(71)申请人ASMIP私人控股有限公司地址荷兰阿尔梅勒

(72)发明人严基喆韩政勋金头汉韩镕圭柳太熙林完奎高东铉

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105

代理人邱军

(51)Int.Cl.

C23C16/455(2006.01)

C23C16/505(2006.01)

权利要求书2页说明书14页附图10页

(54)发明名称

薄膜沉积方法

(57)摘要

CN110885971A一种相对于包含图案结构的基板的薄膜沉积方法包括：通过经设置在基板下方的组件供应RF功率；在基板的暴露于反应空间的暴露表面上形成电位；使用所述电位，在反应空间中将活性

CN110885971A

CN110885971A权利要求书1/2页

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1.一种相对于基板的薄膜沉积方法，所述薄膜沉积方法包括：

通过经设置在所述基板下方的组件供应射