CN110838526A 制造半导体装置的方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110838526A

(43)申请公布日2020.02.25

(21)申请号201910389875.8

(22)申请日2019.05.10

(30)优先权数据

15/998,6972018.08.16US

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人沙哈吉·B·摩尔张世杰

(74)专利代理机构隆天知识产权代理有限公司72003

代理人李琛黄艳

(51)Int.Cl.

H01L29/78(2006.01)

H01L21/336(2006.01)

权利要求书1页说明书26页附图21页

(54)发明名称

制造半导体装置的方法

(57)摘要

CN110838526A本公开提供一种制造半导体装置的方法，即用于形成多层结构的方法，其中多层结构包括介于不同半导体材料的交替层之间的高度控制的扩散界面。根据本公开实施例，在沉积半导体薄层期间，工艺被控制以维持在低温状态，使得彼此间扩散速率得以被管理，以提供具有陡峭的硅/硅锗界面的扩散界面。高度控制的扩散界面及第一与第二薄层为多层结构提供改进的蚀刻选择性。在一个实施例中，具有水平纳米线(NWs)的栅极全环(GAA)晶体管形成自具有改进的蚀刻选择性的多层结构。在一个实施例中，所形成的