CN119497398A 半导体器件及其制作方法、存储器系统 （长江存储科技有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119497398A

(43)申请公布日2025.02.21

(21)申请号202311028019.2

(22)申请日2023.08.15

(71)申请人长江存储科技有限责任公司

地址430205湖北省武汉市东湖新技术开

发区未来三路88号

(72)发明人杨远程刘磊赵冬雪杨涛

周文犀夏志良侯春源霍宗亮

(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限

公司44570

专利代理师孟霞

(51)Int.Cl.

H10B63/00(2023.01)

权利要求书4页说明书12页附图12页

(54)发明名称

半导体器件及其制作方法、存储器系统

(57)摘要

CN119497398A本申请提供一种半导体器件及其制作方法以及存储器系统，半导体器件包括第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：第一晶体管，包括第一半导体层及第一栅极；其中，所述第一半导体层包括第一源极及第一漏极，所述第一栅极环绕所述第一漏极，所述第一源极环绕所述第一栅

CN119497398A

CN119497398A权利要求书1/4页

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1.一种半导体器件，包括第一半导体结构，其特征在于，所述第