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含位错衬底上硅同质外延生长多尺度模拟研究.pdfVIP

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  • 2026-05-13 发布于北京
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含位错衬底上硅同质外延生长多尺度模拟研究.pdf

    工程热学会学科类别传热传质学

    学术会议编号：183207

    位错上硅的同质外延生长多尺度模拟

    1

    聂圻春，方海生

    （华技大学能源与动力，430074）

    （Tel:,Email:hafang@.com）

    在化学气相沉积过程中，源于衬底的定了局部的最大生长速率，特征区域之外

    位错随着薄膜生长而不断延伸，最终表面粗糙度更低。特征尺寸的块状沉积说

    会大大降低薄膜的光电性质。但原子级别

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