CN119555218A 传感器芯片及其制作方法 （杭州三花研究院有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119555218A

(43)申请公布日2025.03.04

(21)申请号202311088753.8

(22)申请日2023.08.28

(71)申请人杭州三花研究院有限公司

地址310018浙江省杭州市下沙经济开发

区12号大街289-2号三花工业园

(72)发明人请求不公布姓名黄隆重万霞吴云岗

(74)专利代理机构苏州佳博知识产权代理事务所(普通合伙)32342

专利代理师罗宏伟

(51)Int.Cl.

G01J5/12(2006.01)

H10F30/10(2025.01)

H10F71/00(2025.01)

H10F77/14(2025.01)

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

传感器芯片及其制作方法

(57)摘要

CN119555218A一种传感器芯片，包括晶圆衬底、支撑层以及用于吸收红外光的吸收层；支撑层与晶圆衬底连接，吸收层至少部分覆设于支撑层；传感器芯片具有空腔，空腔至少部分位于晶圆衬底中，沿芯片的厚度方向，吸收层与空腔位于支撑层的两侧，吸收层的材料选自钛，或，吸收层的材料包括铝、钛和氮化硅中的至少两种。本申请还公开了一种传感器芯片的制作方法。采用特定材质的材料作为吸收层材料，对红外光具有较好的吸收性能，其