GSB 04-3949-2022-硅单晶少数载流子寿命高频光电导衰减法测定用标准样品标准研究报告.docxVIP

GSB04-3949-2022标准发展报告

硅单晶少数载流子寿命高频光电导衰减法测定用标准样品

EnglishTitle:DevelopmentReportonGSB04-3949-2022–CertifiedReferenceMaterialforDeterminationofMinorityCarrierLifetimeinMonocrystallineSiliconbyHigh-FrequencyPhotoconductivityDecayMethod

摘要

本报告系统阐述了GSB04-3949-2022《硅单晶少数载流子寿命高频光电导衰减法测定用标准样品》的研制背景、技术内容、应用价值及发展前景。硅单晶作为半导体产业的核心基础材料，其少数载流子寿命是评估晶体质量、器件性能及工艺控制的关键参数。高频光电导衰减法（μ-PCD）因其非接触、高灵敏度、快速检测等优势，已成为硅单晶少数载流子寿命测定的主流方法。然而，该方法对测量设备、环境条件及操作规范高度敏感，缺乏统一、可溯源的标准样品将导致不同实验室、不同设备间的测量结果缺乏可比性。为应对这一行业共性难题，全国标准样品技术委员会（TC118）归口管理，有研半导体硅材料股份公司（原“有研半导体材料有限公司”）承担研制任务，历经多年技术攻关与验证，成功开发出GSB04-3949-2