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- 2026-05-28 发布于北京
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底层核心:半导体封装技术正经历从“硅基时代”向“玻璃基时代”跨越,玻璃通孔(TGV)技术已成为突破后摩尔定律物理极限的关键路径。硅基TSV(硅通孔)需额外沉积绝缘层,工艺复杂、成本高昂,且硅的半导体属性带来高频信号串扰、损耗大的先天缺陷;有机基板则在平整度、翘曲控制、互连密度上无法满足大尺寸多芯片集成的要求。在热机械性能方面,玻璃凭借其可定制CTE优势,可调节配方适应硅芯片与金属材料,从而有效控制封装翘曲等问题。通过在玻璃基板上制造微米级垂直导电通孔,为芯片间、芯片与基板间构建最短的传输路径,能够适配先进封装对超高互连密度、极低信号延迟、更低功耗、更高系统集成度的核心诉求,是TSV技术最具前景的替代方案。
需求核心:1)AI与高性能计算HPC:AI大模型、万亿参数训练芯片对信号完整性、散热与带宽提出更高要求;2)高带宽存储(HBM):HBM3/HBM4对封装的散热、互连性能要求持续升级,玻璃基板凭借低翘曲、高稳定性的优势,
成为下一代HBM封装的核心备选方案。3)高频通信与光模块:5G/6G、毫米波、CPO(光电共封装)等场景对低损耗信号传输需求刚性。玻璃的介电常数仅为硅的1/3左右,损耗因子低数个数量级,可显著降低高频信号的插损与串扰,
是射频前端模组、封装天线(AiP)、高速光模块载板的理想选择。4)MEMS封装、车载毫米波雷达与自动驾驶芯片、AR/VR微器件、医
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