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拓扑绝缘体材料工程师考试试卷及答案

一、填空题（每题1分，共10分）

1.拓扑绝缘体的核心特征是体绝缘、表面/边缘拓扑保护金属态。

2.Bi?Se?属于强拓扑绝缘体。

3.拓扑绝缘体表面态的自旋与动量呈垂直锁定关系。

4.量子自旋霍尔效应的载体是二维拓扑绝缘体。

5.拓扑绝缘体的拓扑不变量为Z?不变量。

6.Bi?Te?的晶体结构为层状六方晶系。

7.拓扑绝缘体表面态的色散关系呈线性（Dirac锥）。

8.最早发现的拓扑绝缘体体系是HgTe/CdTe量子阱。

9.拓扑绝缘体表面态的典型输运特性是无背散射。

10.拓扑绝缘体与普通绝缘体的本质区别是表面态受拓扑保护。

二、单项选择题（每题2分，共20分）

1.下列属于强拓扑绝缘体的是？

A.Bi?Se?B.SiC.GeD.GaAs

答案：A

2.拓扑绝缘体表面态的自旋-动量关系是？

A.平行B.垂直C.无关D.随机

答案：B

3.量子自旋霍尔效应出现在哪种拓扑绝缘体中？

A.二维B.三维C.所有D.金属

答案：A

4.拓扑绝缘体的拓扑标记是？

A.Z?不变量B.整数霍尔电导C.磁矩D.电导率

答案：A

5.拓扑绝缘体表面态的色散特征是？

A.线性B.抛物线C.带隙随温度增大D.带隙随压力减小

答案：A

6.Bi?Se?的体带隙约为？

A.0.3eVB.1eVC.2eVD.3eV

答案：A

7.拓扑绝缘体表面态无背散射的根源是？

A.拓