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基于BCD工艺的NLDMOS器件工艺优化与性能提升策略研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代集成电路领域，BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺凭借其独特优势占据着至关重要的地位。该工艺创新性地将双极型晶体管（Bipolar）、互补金属氧化物半导体（CMOS）和双扩散金属氧化物半导体（DMOS）集成于同一芯片，完美融合了双极型器件出色的高频性能与强驱动能力、CMOS的高集成度和低功耗特性，以及DMOS优越的高压大电流处理能力，在众多领域得到广泛应用。在电源管理芯片中，BCD工艺可实现高效的电压转换与精准的电流控制，确保电子设备稳定运行；汽车电子领域，其能满足发动机控