模拟电子电路章()西北工业大学;(优选)模拟电子电路章()西北工业大学;结构特点:;2-1半导体基础知识
若P区的电位高于N区,电流从P区流到N区,PN结呈低阻性,所以电流大;
处于第三象限的是反向伏安特性曲线。
PN结加正向电压时,呈现低电阻,含有较大的正向扩散电流;
价电子离开共价键后留下的空位称为空穴。
当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位,称为正向偏置,简称正偏。
一是势垒电容CB,
PN结加反向电压时,有一部分降落在PN结区,方向与PN结内电场方向相似,加强了内电场。
(耗尽区窄,低电压产生强电场)
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正向偏置:v0.
在本征半导体中掺入
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