半导体芯片制造工光刻技术题库及答案.docxVIP

半导体芯片制造工光刻技术题库及答案

一、选择题（每题2分，共20题）

1.光刻工艺中，将掩膜版图形转移到晶圆表面的关键步骤是？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.烘焙

答案：B

2.以下哪种光源属于深紫外（DUV）光刻光源？

A.汞灯（g线，436nm）

B.氪氟准分子激光（248nm）

C.氩氟准分子激光（193nm）

D.极紫外（EUV，13.5nm）

答案：C

3.光刻分辨率计算公式R=k1×λ/NA中，NA代表？

A.数值孔径

B.曝光能量

C.焦深

D.掩膜版放大倍数

答案：A

4.正性光刻胶曝光后，曝光区域在显影液中的溶解性会？

A.增强

B.减弱

C.不变

D.先增强后减弱

答案：A

5.光刻工艺中，用于改善晶圆表面与光刻胶结合力的预处理步骤是？

A.去离子水清洗

B.HMDS涂覆

C.软烘焙

D.硬烘焙

答案：B

6.以下哪项不是影响光刻焦深（DOF）的主要因素？

A.曝光波长

B.数值孔径

C.光刻胶厚度

D.k1因子

答案：C

7.193nm浸没式光刻技术通过在镜头与晶圆间填充哪种介质提高分辨率？

A.空气

B.去离子水

C.氮气

D.