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半导体芯片制造工技术技能考核试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共40分）

1.半导体芯片制造中，光刻工艺的核心目的是：

A.在硅片表面形成导电层

B.将掩膜版图形转移到光刻胶层

C.去除硅片表面氧化层

D.提高硅片机械强度

2.以下哪种气体常用于等离子体刻蚀中的氟基刻蚀剂？

A.Cl?

B.SF?

C.O?

D.N?

3.化学气相沉积（CVD）中，低压CVD（LPCVD）的主要优势是：

A.沉积速率快

B.台阶覆盖性好

C.设备成本低

D.无需真空环境

4.离子注入工艺中，用于中和硅片表面电荷积累的关键措施是：

A.增加注入能量

B.降低注入剂量

C.引入电子束扫描

D.提高靶台温度

5.清洗工艺中，SC-1溶液（标准清洗1号）的主要成分是：

A.H?SO?:H?O?:H?O

B.NH?OH:H?O?:H?O

C.HCl:H?O?:H?O

D.HF:H?O

6.衡量光刻胶分辨率的关键参数是：

A.感光灵敏度

B.耐蚀性

C.最小可分辨线宽

D.固化温度

7.干法刻蚀与湿法刻蚀相比，最显著的优点是：

A.刻蚀速率快

B.各向异性好

C.成本更低

D.工艺简单

8.薄膜