矽力杰笔试题及答案模拟ic.docxVIP

矽力杰笔试题及答案模拟ic

一、选择题（共40分）

1.在NMOS晶体管的饱和区工作状态下，下列哪项条件是必须满足的？（5分）

A.$V_{GS}V_{th}$

B.$V_{GS}V_{th}$且$V_{DS}V_{GS}-V_{th}$

C.$V_{GS}V_{th}$且$V_{DS}V_{GS}-V_{th}$

D.$V_{GS}=V_{th}$

答案：C

2.下列关于带隙基准电压源（BandgapReference）的描述，错误的是？（5分）

A.带隙基准利用了双极型晶体管发射结电压（$V_{BE}$）随温度升高而降低的特性（负温度系数）

B.带隙基准利用了晶体管发射结电流密度比（$I_C/I_E$）随温度升高而增加的特性（正温度系数）

C.带隙基准通过正负温度系数的叠加，使得输出电压在室温附近具有零温度系数

D.带隙基准的输出电压总是等于硅的带隙电压（约1.25V）

答案：D

3.在模拟集成电路设计中，为了提高运放的增益带宽积（GBW），通常采用以下哪种补偿方法？（5分）

A.米勒补偿

B.电阻-电容串联补偿

C.全补偿

D.无补偿

答案：A

4.LDO（低压差线性稳压器）的电源抑制比（PSRR）主要取决于哪个元件？（5分）

A.输出电容

B.反馈电阻网络

C.误差放大器的直流增益

D.功率管