《VerilogHDL负责数字电路设计(AI助学版)》课件 5 - 2 RAM.pptxVIP

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  • 2026-08-26 发布于山东
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《VerilogHDL负责数字电路设计(AI助学版)》课件 5 - 2 RAM.pptx

5.1.3RAMRAM模块是最常用的数据存储器单元,在数字系统设计时广泛使用在FPGA中,RAM是一个宏,由厂家提供的开发软件自动编译生成。在IC设计中,RAM由加工厂家编译生成,或用户利用厂家提供RAM生成软件编译生成RAM模块属于时序逻辑器件,在时钟的驱动下工作,因此一定要满足时钟沿的建立、保持时间RAM分为:单口RAM双口RAM多口RAM特别注意,RAM没有异步复位端,不能上电复位

单口RAM以RAM深度为64(26),地址线的位宽为6,数据宽度位为8为例,说明单口RAM模块的门级调用方法单口RAM只有一组地址线、一个时钟线和一个使能信号,读写共用,因此不可以同时进行读写

单口RAM模块信号位宽I/O描述clk1I时钟信号W_R1I读/写使能信号,高为写使能,低为读使能,clk的上升沿接收数据addr6I读/写地址,clk的上升沿接收数据dataIn8I写入数据,clk的上升沿接收数据dataOut8O读出数据,clk的上升沿更新

单口RAM模块写入RAM时,信号W_R为高电平;从RAM中读出数据时,信号W_R为低电平写入时,使能信号W_R、地址信号addr和需要写入的数据信号dataIn与时钟clk上升沿之间的建立和保持时间为半个时钟周期读出时,使能信号W_R和地址信号addr与时钟clk上升沿之间建立和保持时间为半个时钟周期。从RAM中读出的数据dataOut有tt时间

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